Полярное рассеяние

Cтраница 1

Полярные рассеяния особенно велики в кристаллах, у которых преобладают ионные связи. [1]

В случае полярного рассеяния г зависит от температуры. Результаты, полученные Льюисом и Сондхеймером [74] для зависимости г от Qi / T, представлены на фиг. [2]

Подвижность носителей в соединениях типа AII5BV. [3]

В соединениях АП В полярное рассеяние носителей тока на оптических колебаниях решетки преобладает над рассеянием не деформационном потенциале. [4]

В скобках представлены теоретические значения подвижности для полярного рассеяния. Как правило, подвижность носителей увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны. [5]

Связь между решеточной подвижностью и эффективной массой носителей заряда [ 125, с. 454 ].| Решеточная подвижность соединений III-V. [6]

Для других соединений, помимо основного механизма - полярного рассеяния, наблюдается также и рассеяние на ионизованных примесях. [7]

Это показывает, что основное взаимодействие носителей с решеткой происходит благодаря полярному рассеянию. При этой напряженности поля электроны имеют скорость дрейфа 3 107 см / сек, в то время как в Ge и Si скорость дрейфа электронов достигает насыщения при значении, меньшем 107 см / сек. [8]

Как видно из рис. 11.165, основным видом рассеяния при 300 К является полярное рассеяние. [9]

Связь подвижности и диполя кристалла. [10]

Отклонения от этого закона вызваны существованием двух видов возможных колебаний для каждой рассматриваемой цепи атомов: оптических ( высокой частоты) и акустических ( низкой частоты) и их неравному участию в рассеянии. Полярное рассеяние чаще всего имеет большее значение, чем неполярное, так что при заданной температуре подвижность носителя тем выше, чем больше ковалентный аспект кристалла по сравнению с его ионным аспектом. Чем успешнее проходит эта работа, тем больше возрастают величины подвижности. [11]

Из обеих этих работ вытекает, что Др / ро пропорционально Я1 65 и что сопротивление увеличивается на 2 % при 10000 эрстед. Если действует только полярное рассеяние, то величина Ар / ро при насыщении, наступающем с увеличением магнитного поля, равна при 290 К примерно 6 %, так что экспериментальные значения не расходятся с теорией. [12]

Поэтому легко ускорить носители вплоть до порогового значения, соответствующего стабильному состоянию, при котором энергия, получаемая от поля, уравновешивается энергией, отдаваемой решетке, и большинство носителей приобретает величину, близкую к этому значению. Если же преобладает полярное рассеяние, то скорость отдачи энергии решетке уменьшается с энергией носителей и большую энергию будут иметь носители, ускоренные полем. Для обоих видов рассеяния величина энергии, получаемой носителями, пропорциональна квадрату напряженности поля, причем в ковалентном полупроводнике повышение напряженности поля приводит к увеличению энергии всех носителей. [13]

Аномальное маг - температур рассеяние электронов становится ани. [14]

Лишь Немногие другие материалы были подвергнуты подробному анализу. Однако упомянем гексагональный SiC ( полярное рассеяние), а также1гетшторые - сбединенйя И-VI1 Б6, с. В HgTe имеет большое значение рассеяние электронов акустическими фо-нонами ( см. рис. 89) в ZnO и CdS [ 37, с 2282; 177, с. [15]

Страницы: 1 2