Неупругое рассеяние - электрон
Cтраница 2
Обсудим теперь способ, каким получены экспериментальные значения частот Поверхностных плазмонов, приведенные в первой строке табл. 2.1. По-прежнему изучалось неупругое рассеяние электронов. Результаты опытов по прохождению пучка электронов, казалось бы, легко интерпретировать теоретически. На самом деле, однако, поверхность образца всегда неровная, так как приходится использовать пленки, полученные испарением. [16]
Бзйм [115] обратил внимание на тот факт, что неупругое рассеяние медленных нейтронов металлами является процессом, который очень похож на неупругое рассеяние электронов проводимости вследствие колебаний решетки в металлах. В каждом случае явление не связывается с отдельными фононами, но с плотностью ионов, и Бэйм предложил, что в каждом случае может быть использовано приближение Борна. Это, с точки зрения автора, в настоящее время для рассеяния электронов проводимости еще не установлено с какой-либо уверенностью, но тем не менее мы будем принимать это предложение. [17]
В том же году в SLAC был обнаружен эффект несохранения четности, связанный с интерференцией слабых и электромагнитных взаимодействий, при неупругом рассеянии продольно-поляризованных электронов высокой энергии на дейтронах. Эффект состоял в асимметрии рассеяния электронов с противоположной ориентацией спина ( левовращающих, L, и правовращающих, К), которой не должно быть в чисто электромагнитных процессах. [18]
Комптон, Стокдэйл и др. [91] при определении положения максимума выхода ионов NH T из NH3 ( 5 6 0 02 эв) использовали значение порога неупругого рассеяния электронов в гелии ( 10 04 эв), ( 1 s) 2 - - ( Is) / - возбуждение. [19]
Таким образом, полученное в приложении 2 предсказание модели кварков-партонов, что эта величина должна быть примерно на 10 % меньше, чем значение 0 74, найденное из глубоко неупругого рассеяния электронов, оправдывается совсем неплохо. [20]
При неупругом рассеянии электронов низких энергий на поверхностных фононах необходимо рассмотреть два процесса: во-первых, электронное взаимодействие с дипольным полем поверхностных колебаний и, во-вторых, неупругое рассеяние на тепловых колебаниях локализованных атомов поверхности твердого тела. Только первый процесс рассеяния, называемый дипольным рассеянием, регистрируется в ХПЗЭ-спектрах. Действительно, взаимодействие электронов с электрическим полем поверхностной волны будет давать резонансный максимум, когда компонента скорости электронов, параллельная поверхности, равна фазовой скорости поверхностной волны. На рис. 14.12 приведен ХПЭЭ-спектр от поверхности ( 111) кремния ( р-типа, удельное электрическое сопротивление 3000 Ом см), очищенного в условиях сверхвысокого вакуума. Электронное возбуждение колебательных состояний атомов или молекул, адсорбированных на поверхности твердого тела, как указывалось выше, может также регистрироваться методом СХПЭЭ. [21]
Электронный транспорт при низких температурах требует специального рассмотрения. Если при комнатных температурах электрическое сопротивление связано с неупругим рассеянием электронов на фононах, и энергия, передаваемая от электронов к решетке приводит к омическому нагреву проводника, то в области низких температур колебания решетки заморожены, а рассеяние на постоянно присутствующих примесях имеет упругий характер. В этих условиях сам факт наличия сопротивления может вызвать удивление. Проблема была решена Ландауэром [32, 33], который показал, что проводимость определяется квантовым коэффициентом прозрачности области, лежащей между двумя электронными резервуарами, имеющими различный электрический потенциал. [22]
Величина а носит название эффективного сечения рассеяния для атома данного вещества и определяет рассеяние электронов на этом атоме на угол, больший апертурного угла а. Очевидно, что в общем случае величиной о, учитывается как упругое, так и неупругое рассеяние электронов. [23]
Наряду со значительным числом исправлений и мелких изменений, в настоящем издании сделан также и ряд более крупных добавлений. Из них отметим операторный метод вычисления сечения тормозного излучения, вычисление вероятности рождения пар фотоном и вероятности распада фотона в магнитном поле, исследование асимптотического поведения амплитуд рассеяния при высоких энергиях, обсуждение процессов неупругого рассеяния электронов адронами и превращения электрон-позитронных пар в адроны. [24]
II, § 6, позволяет изучать структуру их основного состояния. Структура возбужденных состояний ядер может изучаться с помощью неупругого рассеяния электронов. [26]
Страницы: 1 2