Электрон-электронное рассеяние

Cтраница 1

Электрон-электронное рассеяние уменьшается при низких температурах, но в почти идеальных металлических образцах оно может стать основным процессом, обусловливающим сопротивление. В некоторых случаях вклад электрон-электронного рассеяния, даже если оно не является преобладающим процессом при низких температурах, удается выделить, анализируя результаты измерений полного теплового сопротивления. [1]

Член вТ, характеризующий влияние электрон-электронного рассеяния, обычно мал и может быть отброшен. Поэтому останутся лишь члены р / Т и аТ2, характеризующие рассеяние электронов на примесных атомах и на фононах. [2]

Плотность состояний в зависимости от энергии для переходных металлов, таких, как Pt или Pd. [3]

При низких температурах в переходных металлах проявляется эффект электрон-электронного рассеяния, приводящий к появлению квадратичного члена в зависимости удельного сопротивления от температуры. [4]

Возможно, что в сильно легированных полупроводниках роль электрон-электронного рассеяния должна уменьшаться, так как все рассеиваемые электроны имеют одну скорость, определяемую энергией Ферми. [5]

Более трудно выделить электронное тепловое сопротивление, обусловленное электрон-электронным рассеянием, поскольку его вклад пропорционален Т и не очень сильно отличается от зависимости типа Т2 для вклада, обусловленного рассеянием на фононах. [6]

Здесь величина qm IE / е2 с точностью до электрон-электронного рассеяния обеспечивает для (7.10) спитцеровскую асимптотику электропроводности. [7]

Для случая электронов, принадлежащих одной и той же зоне, электрон-электронное рассеяние приводит к появлению сопротивления, когда оно осуществляется с помощью U-процессов. В простых металлах идеальное электрическое сопротивление, выводимое из экспериментальных данных, при низких температурах довольно точно описывается законом Т5, и нет необходимости учитывать U-процессы. [8]

Из-за наличия резкой поверхности Ферми в предельном случае сильного вырождения процессы электрон-электронного рассеяния подавлены в силу принципа Паули. [9]

В физике частиц очень часто приходится вычислять сечения различных процессов, например электрон-электронного рассеяния ее - - ее. Например, в частном случае де-рассеяния в первом приближении процесс представляется в виде фейнмановской диаграммы, изображенной на рис. 1.14, причем очень важным элементом этой диаграммы является распространение фотона между двумя электронами. Существуют правила Фейимана, которые позволяют сопоставить каждой диаграмме амплитуду рассеяния и затем по полной амплитуде ( для каждого процесса может существовать более одной диаграммы) прямо вычислить сечение. В данной и следующей главах будет показано, откуда берутся правила Фейнмана, и в частности как найти выражение для распространения виртуальной частицы. [10]

Таким образом, излучение при электрон-позитронном рассеянии логарифмически велико по сравнению с излучением при электрон-электронном рассеянии. [11]

Таким образом, излучение при электрон-позитронном рассеянии логарифмически велико по сравнению с излучением при электрон-электронном рассеянии. [12]

Суммарная вероятность электрон-электронного рассеяния в единицу времени Se ( E для электрона с энергией., рассчитанная для фталоцианина меди в предположении, что энергетическая щель равна 1 7 эВ.| Нормированные зависимости вероятности Se генерации первичными электронами с энергией Е вторичных электронов с энергией Е. В модельном расчете для CuPhc энергетическая щель принята равной 1 7 эВ. [13]

В случае оже-рассеяния положение пика будет еще более слабой функцией энергии первичного электрона, чем в случае электрон-электронного рассеяния, поскольку энергия дырки может изменяться лишь в пределах энергетического распределения низколежащих валентных уровней. [14]

Условие б) хорошо выполняется в полупроводниках и диэлектриках с малым числом свободных электронов, когда взаимодействие между ними мало и может быть учтено как электрон-электронное рассеяние. В металлах, где число свободных электронов велико, взаимодействие с осн. Взаимодействие с электронами, находящимися в топком слое вблизи поверхности Ферми, может быть учтено в рамках теории ферми-жидкости, в к-рой в качестве элементарных возбуждений рассматриваются заряж. Электрон-электронное взаимодействие приводит, как правило, лишь к перенормировке спектра. Исключение составляют кристаллы с узкими зонами, где энергия отталкивания двух электронов на одном узле превышает ширину зоны. Если в таких кристаллах число электронов равно числу атомов, они являются диэлектриками, даже если число мест в зоне ( с учетом спина) больше числа атомов. При изменении ширины разрешенной зоны в результате сближения атомов происходит переход к металлич. [15]

Страницы: 1 2 3