Cтраница 2
Для отличия от вынужденного рассеяния мы пользуемся термином тепловое рассеяние вместо спонтанное рассеяние, так как всякое рассеяние света по существу этого явления вынужденное, а не спонтанное. [16]
Это дает основание говорить о существовании кооперативных аналогов для всех процессов спонтанного рассеяния света. [17]
Отметим, что в научной литературе, как правило, при обсуждении спонтанного рассеяния света опускают термин спонтанное и говорят просто о рассеянии света. Такая терминология сложилась исторически. Дело в том, что в долазерную эпоху спектральная яркость источников света была не достаточно велика, чтобы наблюдать вынужденное рассеяние света. [18]
Мы можем, конечно, с легкостью определить шо и Г из измерения спонтанного рассеяния. Мы можем также получить значение x R, измеряя абсолютную интенсивность когерентного антистоксова излучения, но частотные измерения более точны, чем измерения абсолютной интенсивности рассеяния. [19]
V& Vx представляет собой число мод в облучаемом объеме У, Av:, - ширина спектральной линии спонтанного рассеяния, сс - скорость рассеянного света в нелинейной среде. [20]
Пользуясь ( 71 13), мы приходим к неравенству а 1, которое совпадает с условием применимости теории спонтанного рассеяния на свободных электронах. [21]
Поскольку акустические волны (11.33) разных частот и направлений имеют случайную начальную фазу в ( они созданы тепловым движением, имеющим случайный характер), то и рассеянные разными решетками волны некогерентны - это так называемое спонтанное рассеяние, аналогично излучению обычных тепловых источников, которое образовано спонтанным, несогласованным излучением разных атомов. [22]
При спонтанном рассеянии это воздействие пренебрежимо мало, так что рассеяние происходит па равновесных тепловых флуктуациях. [23]
Эффективность спонтанного рассеяния Мандельштама-Бриллюэна практически на 20 дБ ниже, нежели для рассеяния Рэлея в волоконных световодах. Поэтому использование спонтанного рассеяния МБ в волоконных датчиках не представляется перспективным. [24]
Их энергия черпается из волны накачки, поэтому нарастание продолжается до тех пор, пока интенсивность рассеянного света не станет сравнима с ее интенсивностью. В отличие от некогерентного спонтанного рассеяния на тепловых флуктуациях плотности возникающее при ВРМБ излучение когерентно. [25]
Как видно из (7.31), стоксова волна рассеяния, возникнув на расстоянии z L от входа в световод, усиливается благодаря эффекту ВРМБ. На практике стоксова компонента возникает из шума спонтанного рассеяния Мандельштама-Бриллюэна, происходящего в световоде. Как и в случае ВКР, это эквивалентно инжекции одного эффективного фотона на одну моду в точке, где усиление компенсирует потери в световоде. [26]
Если внутримолекулярные колебания возбуждены светом, качественно меняется и картина рассеяния. На смену слабому нарастанию компонент рассеянного света в спонтанном рассеянии приходит носящее характер неустойчивости экспоненциальное нарастание рассеянных компонент в вынужденном рассеянии - В нелинейной оптике этим обстоятельством пользуются для эффективного преобразования частоты. [27]
В соответствии с данными, приведенными выше о спонтанном рассеянии света однородной средой, и исходя из основных положений о спонтанных и вынужденных процессах следует предполагать, что в однородной среде должно возникать вынужденное рассеяние света, обусловленное флуктуаципми плотности ( давления) и температуры ( энтропии) среды и анизотропии молекул, составляющих среду. Действительно, при взаимодействии мощного лазерного излучения с сжатыми газами, жидкостями, стеклами и кристаллами наблюдаются вынужденные аналоги соответствующих спонтанных процессов рассеяния. [28]
Причина этого может быть понята из анализа коэффициента усиления. С одной стороны, коэффициент усиления gs пропорционален дифференциальному поперечному сечению для спонтанного рассеяния, заданному уравнением ( 3.16 - 73); из него получается, как правило, только слабая зависимость от поля ( ср. С другой стороны, коэффициент усиления пропорционален величине, описывающей относительные населенности спиновых уровней. Существующие закономерности схематически показаны на фиг. При слабых полях энергия Ферми так расположена по отношению к энергетическим зонам, что верхний уровень в значительной мере заполнен; поэтому лишь относительно малое число электронов может совершать переходы Снизу вверх. Напротив, при более сильных полях верхний уровень преимущественно свободен ( при достаточно низких температурах), так что путем переворачивания спина значительная часть электронов может возбуждаться, что приводит к относительно высокому значению коэффициента усиления. Область значений напряженности поля, в которой создаются эти благоприятные условия для вынужденного рассеяния, зависит от плотности носителей заряда. [29]
Для / С Р или в случае некогерентной накачки ( когда ширина спектра падающего поля превышает ширину линии спонтанного рассеяния) величина g существенно уменьшается. [30]