Вынужденное рассеяние - мандельштам
Cтраница 1
Вынужденное рассеяние Мандельштама - Бриллюэна может возникать в любых средах, где может возникать электрострик-ция - в сжатых газах, жидкостях и прозрачных твердых телах. Это явление играет разнообразную роль в различных процессах взаимодействия лазерного излучения с веществом. [1]
Вынужденное рассеяние Мандельштама - Бриллюэна в твердых телах. При возбуждении ВРМБ гигантским импульсом рубинового лазера, сфокусированным внутрь монокристалла, при обычных условиях возникает разрушение образца. [2]
 |
L Зависимость усиления от энергии импульсов на входе. [3] |
Возникновение вынужденного рассеяния Мандельштама - Бриллюэна ( ВРМБ) в активной среде лазерных усилителей представляет особый интерес с нескольких точек зрения. [4]
Физическая причина вынужденного рассеяния Мандельштама - Бриллюэна состоит в том, что интенсивная световая волна возбуждающего света, первоначально слабая волна рассеянного света и тепловая упругая волна, которая, как указано выше, обусловливает дискретные компоненты Мандельштама - Бриллюэна, нелинейно взаимодействуют друг с другом. [5]
Физическая причина вынужденного рассеяния Мандельштама - Бриллюэна состоит в том, что интенсивная световая волна возбуждающего света, первоначально слабая волна рассеянного света и тепловая упругая волна, которая, как указано выше, обусловливает дискретные компоненты Мандельштама-Бриллюэна, нелинейно взаимодействуют друг с другом. Такое нелинейное взаимодействие осуществляется посредством явления электрострикции. [6]
О В чем заключается вынужденное рассеяние Мандельштама - Бриллюэна. [7]
О связи между волновыми фронтами отраженного и возбуждающего света при вынужденном рассеянии Мандельштама - Бриллюэна. [8]
В / см сравнима с внутриатомным полем), развивается процесс вынужденного рассеяния Мандельштама - Бриллюэна. В этом случае бегущая интерференц. Механизм усиления обусловлен силами электрострикщш, втягивающими вещество в места с большим локальным значением напряженности электрич. Рост амплитуды упругих волн приводит к соответствующему увеличению эффективности рассеяния, а это в свою очередь усиливает упругие волны. В результате интенсивность рассеянной волны нелинейно возрастает по мере распространения в среде. В процессе вынужденного МБР возникает интенсивный гиперзвук, верх, граница частоты к-рого - 105 МГц для твердого тела и - - 103 - 104 МГц для жидкости. [9]
Поэтому в случаях, когда такое взаимодействие существенно, например при анализе вынужденного рассеяния Мандельштама - Бриллюэна, необходимо вернуться к вопросу о выборе материального уравнения. [10]
Крессель и Мироп [6.41] предположили, что разрушение ин-жекционных лазеров из GaAs может быть обусловлено вынужденным рассеянием Мандельштама - Бриллюэна. Образование ямки на поверхности зеркала при этом может быть вызвано сильным акустическим потоком. [11]
 |
Алгоритм обращения волнового фронта. 1 - - задающий генератор, 2 - оптиче скаи развязка, 3 - корректируемая оптическая система, 4 - обращающее зеркало. [12] |
Прежде чем перейти к рассмотрению наиболее широко используемого в лазерах на неодимовом стекле обращения волнового фронта на основе вынужденного рассеяния Мандельштама - Бриллюэна ВРМБ), сделаем одно замечание. [13]
Хотя вынужденное рассеяние наблюдалось во многих твердых телах и жидкостях, а полупроводниках, имеющих большие фотоупругне коэффициенты, происходит паразитный нагрев, который уменьшает интенсивность или делает невозможным вынужденное рассеяние Мандельштама - Бриллюэна. Однако Азам и др. [6.40] наблюдали вынужденное рассеяние Мандельштама - Бриллюэна в обратном направлении в Ge при использовании излучения СО2 - лазера с модулированной добротностью. [14]
В настоящей главе будут обсуждаться следующие аспекты рассеяния Мандельштама - Бриллюэна в полупроводниках: определение скорости звука, ангармонизм, взаимодействие акустических волн со свободными носителями, влияние поглощения света па спектральное распределение рассеянного света, резонансные эффекты вблизи края поглощения, вынужденное рассеяние Мандельштама - Бриллюэна. Особое внимание уделено рассеянию тепловыми фононами, хотя будут также рассмотрены несколько опытов с ультразвуковыми волнами, возбужденными посредством пьезо - или акустоэлектрического эффекта. Вначале будут кратко рассмотрены принципы рассеяния, фотоупругое взаимодействие и некоторые типичные экспериментальные установки. [15]
Страницы: 1 2 3