Cтраница 2
Схема структурной сетки натриево-силикатного стекла. [16] |
Для объяснения полученных кривых рассеяния Уоррен предположил, что структура стекла представляет собой непрерывную сетку, аналогичную сетке Заха-риасена. [17]
Кривые рассеяния стекла - 77 % ( мол. SiO2 и 23 % ( мол. Na2O. [18] |
На нем даны кривые рассеяния для стекла, содержащего 77 % ( мол. [19]
Кривые рассеяния. [20] |
В реальных условиях фактические кривые рассеяния, как правило, отличаются от кривой нормального распределения и нередко очень существенно. Объясняется это тем, что факторы, вызывающие отклонение выходного показателя, значительно отличаются один от другого по величине и степени воздействия. Из рис. 1.13 видно, что на участке о-а в результате действия многочисленных факторов рассеяние полученного размера подчиняется закону нормального распределения, а на участке а-б точечная диаграмма смещена на величину h, что обусловлено действием систематического фактора. Примером может служить процесс развертывания отверстий в деталях, когда сломанную развертку заменяют новой, имеющей другой фактический диаметр. [21]
Как зависит ход кривых рассеяния от толщины рассеивателя. [22]
Другой способ нормировки экспериментальных кривых рассеяния основан на законе сохранения интенсивности, который можно сформу-ь так: интенсивность рассеяния не зависит от того, как распо-атомы друг относительно друга, образуют ли они кристалл, ости или газа. Интерференция между волнами, рассеянными данным числом атомов, приводит лишь к перераспределению интенсивности, усилению в одних направлениях и ослаблению в других, не изменяя суммарной ее величины. [23]
На рис. 1 приведены микрофотомотрические кривые рассеяния электронов от стекла, содержащего 33 % РЬО, иллюстрирующие зависимость качества электронограмм от экспериментальной техники. [24]
На рис. 4.3.1 показаны кривые рассеяния рентгеновского излучения легированными бором пленками мк - Si: Н толщиной 7 мкм до и после отжига при 800 С. [25]
При обработке желательно получать идентичные кривые рассеяния размеров по полю рассеяния у всех составляющих звеньев. [26]
На рис. 4.3.1 показаны кривые рассеяния рентгеновского излучения легированными бором пленками мк - Si: Н толщиной 7 мкм до и после отжига при 800 С. [27]
Рассмотрены новые методы получения точных кривых рассеяния рентгеновских лучей под большими углами на примере исследований стеклообразных кремнезема и борного ангидрида и новые приемы интерпретации кривых радиального распределения сложных стекол для определения ближнего порядка. Приведены интегральные структурные характеристики малоуглового рентгеновского метода, определяющие без всяких априорных предположений субмикроскопическую структуру стекол, а также параметры, использующие различные участки кривой рассеяния под малыми углами. Обсуждены работы, в которых используется малоугловой рентгеновский метод для проверки теории спинодального распада жидкостного типа стекол и для определения коэффициентов диффузии и энергий активации этого процесса. Кратко охарактеризовано состояние вопроса о возможности неоднородного строения однофазных стекол и методах его изучения. [28]
Например, можно теоретически рассчитать кривые рассеяния, которые давали бы частицы, соответствующие модели, При различном рассеивающем вкладе белка и РНК Размеры и форму РНК в модели можно проверять, сравнивая теоретически рассчитанную Кривую при нулевом вкладе белка с экспериментальной кривой нейтронного рассеяния в 42 % - ном ОЮ, когда рассеяние от белка скомпенсировано растворителем. Наконец, задавая различные вклады белка и РНК при расчетах рассеяния от модели, можно получить набор теоретических кривых для сравнения с экспериментальными кривыми нейтронного рассеяния в НЮ, D20 и при различных их соотношениях, а также с кривыми рентгеновского рассеяния; этим путем проверяется взаимное расположение белка и РНК в модели. Если соответствия между рассчитанными и экспериментальными кривыми не будет, модель должна быть отвергнута. Модель расположения РНК и белков в 30S субчастице, изображенная на рис. 72, не противоречит экспериментальным кривым нейтронного и рентгеновского рассеяния вплоть до разрешения около 4 - 5 нм. [30]