Тепловое рассеяние

Cтраница 1

Тепловое рассеяние может лишь разорвать ту или иную пару или, напротив образовать новую пару из индивидуальных электронов. Величина же тока определяется суммарным импульсом электронов, который остается неизменным. [1]

Тепловое рассеяние может лишь разорвать ту или иную пару или, напротив, образовать новую пару из индивидуальных электронов. Величина же тока определяется суммарным импульсом электронов, который остается неизменным. Таким образом, в этой схеме тепловое рассеяние может привести лишь к флуктуациям электрического тока, но не к его прекращению. [2]

В тепловом рассеянии слабое поле возбуждающей световой волны ( обычный источник света) оказывает на среду столь ничтожное воздействие, что с ним не следует считаться. Иначе обстоит дело, когда рассеяние возбуждается светом гигантского импульса оптического квантового генератора. В этом случае напряженность электрического поля световой волны так велика, что она вместе с полем теплового рассеяния приводит к возникновению значительных сил - стрикцнонной и, в случае анизотропных молекул, ориентирующей. [3]

Одновременно увеличение теплового рассеяния позволяет увеличить рабочее напряжение болометра. Разработан целый ряд вариантов конструктивного осуществления такихболометров. Наряду с приемниками, в которых чувствительные элементы монтируются без подложек, что обеспечивает очень высокую величину при довольно значительной инерционности, применяется монтаж чувствительных элементов на стеклянных подложках пли без подложек, но с тыловой металлической пластиной, расположенной за приемным элементом на расстоянии порядка сотни микрон. Коэффициент теплопроводности кварца в направлении оптической оси равен 3.3 - 10 - 2 кал. Таким образом, монтаж болометрического слоя на кварцевой подложке обеспечивает сочетание высокого сопротивления изоляции с большим значением коэффициента теплового рассеяния. [4]

При низких температурах тепловое рассеяние согласно (1.28) становится незначительным, и в материалах с атомными решетками преобладающим оказывается резерфордовский механизм рассеяния движущихся заряженных частиц на ионизированных примесях. [5]

Наибольшую роль играют тепловое рассеяние и рассеяние на ионах примесей. [6]

Влияние температуры на вольт-амперную характеристику германиевого диода типа ГД102.| Влияние температуры на вольт-амперную характеристику кремниевого диода типа КД205. [7]

Это происходит из-за теплового рассеяния подвижных носителей и сокращения средней длины их свободного пробега в р-п-переходе. [8]

Движение электрона в решетке кристалла.| Изменение удельного электросопротивления меди и сплавов при нагреве. [9]

Электросопротивление, определяемое тепловым рассеянием, исключая низкие температуры, растет с повышением температуры линейно. Влияние легирующих элементов оценивается удельным электросопротивлением рл. [10]

Вероятности переходов при тепловом рассеянии вычисляются на основе предположения о равновесных условиях в решетке ( см. Мотт и Джонс [37], стр. [11]

В атомных полупроводниковых кристаллах тепловое рассеяние значительно при сравнительно высоких температурах. При низких же температурах преобладает рассеяние на примесях. [12]

Вблизи абсолютного нуля температуры тепловое рассеяние электронных волн стремится к нулю, но часть рассеяния, обусловленная дефектами решетки, при этом не уменьшается и дает заметный вклад в общее сопротивление. [13]

Примерный график зависимости электропроводности полупроводника от температуры. [14]

При низких температурах эффективность теплового рассеяния, согласно ( 13), убывает и в атомных решетках получает преобладающее значение другой механизм рассеяния - рассеяние на ионизированных примесях. По существу этот механизм рассеяния идентичен известному механизму рассеяния а-частиц, который был впервые изучен Резерфордом в его классических работах но строению атома. [15]

Страницы: 1 2 3 4