Знак - эффект
Cтраница 2
Смена знака эффекта при переходе через точку нулевого заряда указывает на применимость в этих системах уравнения (6.6) и при положительных - потенциалах. Такой переход оказывается возможным, если толщина диффузного слоя ( эффективная ширина ямы) больше как длины волны электрона, так и длины сольватации х0, что имеет место при низких концентрациях раствора электролита. [16]
 |
Влияние магнитного поля на фотостационарную концентрацию формильных радикалов при низкотемпературном фотолизе формальдегида ( ЭЭК. [17] |
Действительно, знак эффекта качественно соответствует СТВ-механизму влияния магнитного поля на F-пары. [18]
Очевидно, знак эффекта будет зависеть от температуры газа. [19]
Следовательно, знак эффектов ХПЯ определяется, с одной стороны, знаком магнитно-резонансных параметров, а с другой стороны, предысторией образования молекулы. Если из данных по магнитному резонансу, ЭПР и ЯМР, известны - факторы и константы СТВ радикалов, принимающих участие в исследуемой реакции, и константы спин-спинового взаимодействия в молекуле, то по знаку эффекта ХПЯ можно установить, например, мульти-плетность предшественника РП, из которой образовалась изучаемая молекула. [20]
Следовательно, знак эффекта заместителя на gk зависит и от температуры. [21]
Согласно (1.160), знак эффекта ХПЯ для f - nap всегда совпадает с тем знаком, который для этого случая предсказывают правила Каптейна. При геминальной рекомбинации знак эффекта ХПЯ может еще зависеть от начального расстояния между радикалами пары. Если в начальный момент времени РП находится на реакционном радиусе, то знак мультиплетной ХПЯ, так же как и для интегральной ХПЯ, определяется правилами Каптейна. При гц & возможны отклонения от правил Каптейна. [22]
Кроме того, знак эффекта очистки в обобщенном параметре выбран противоположный. [23]
Для диффузионных пар знак эффектов ХПЯ совпадает с тем знаком, который ожидается для триплетного предшественника пары. [24]
Направление замещения определяется знаком эффекта сопряжения: если заместитель смещает тс-электронное облако в сторону ядра-водород замещается преимущественно в орто - и пара-положениях; если группа оттягивает тс-электронное облако-замещение происходит преимущественно в мета-положении. [25]
Направление замещения определяется знаком эффекта сопряжения если заместитель смещает тг-электронное облако в сторону ядра - вс дород замещается преимущественно в орто - и пара-положениям если группа оттягивает и-электронное облако - замещение происхс Дит преимущественно в мета-положении. Замещение только в мета положении наблюдается при нитровании солей четырехзамещенны аммониевых оснований, а также трифторметилбензола. [26]
В области смешанного рассеяния знак эффекта зависит от соотношения рассеивающих способностей решетки и примесей. При низких температурах, когда преобладает примесное рассеяние, знак Р положителен; при более высоких температурах основную роль начинает играть рассеяние на колебаниях решетки и знак Р меняется на обратный. Рассмотрим, каков будет знак эффекта при смешанной проводимости. [27]
Это влияние зависит от знака эффекта. Вместе с тем расстояние между смещенными уровнями TCCC и тгес изменяется мало, в связи с чем индукционный эффект мало влияет на энергию перехода кСс - к сс в замещенных этилена. [28]
Особое внимание следует уделить знаку эффекта двойного лучепреломления. Опыт показывает, что этот знак совпадает со знаком двойного лучепреломления при вынужденно-эластической деформации. Тогда в рамках молекулярных представлений механизм деформации упругого последействия можно трактовать так же, как механизм высокоэластической деформации, связанный с молекулярными перегруппировками ориентационного характера. На самом деле вопрос, конечно, гораздо сложнее. К этому мы вернемся ниже, а сейчас рассмотрим новейшие данные о ползучести. [29]
Мы уже отмечали, что знак эффекта определяется знаком числителя. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5