Рассмотрение - одномерная модель
Cтраница 1
Рассмотрение одномерной модели этого стационарного волнового процесса является предметом гидродинамической теории детонации, важнейшее следствие которой состоит в том, что скорость волны не должна зависеть от механизма реакции. Достаточно знать суммарную теплоту реакции и уравнение состояния продуктов взрыва, чтобы можно было вычислить скорость плоской детонационной волны. Казалось, что успехи, достигнутые при приложении этой теории к расчету скорости детонации, в значительной мере устраняют необходимость объяснения механизма реакции. Однако вскоре выяснилось, что большинство реальных детонационных процессов с помощью одномерной модели описать невозможно. ВВ скорость детонации зависит от диаметра заряда. [1]
При рассмотрении одномерной модели Кронига и Пенни было введено понятие зон Бриллюэна. Так как периодичность волновых функций и энергий в пространстве обратной решетки характерна и для движения электрона в реальном кристалле, то зоны Бриллюэна вводятся и для трехмерного k - пространства. [2]
При рассмотрении более сложной одномерной модели [77], состоящей из девяти армирующих элементов, расположенных в три ряда, торцы которых смещены относительно друг друга, оказалось, что характер распределения касательных напряжений является более плавным. [3]
Тем не менее рассмотрение одномерной модели позволяет получить ряд полезных сведений о механизме выключения прибора. [4]
 |
Одномерная модель хемосорбцяи. [5] |
Мы начнем с рассмотрения одномерной модели, в которой кристалл изображается прямой цепью одинаковых атомов и инородный атом взаимодействует с одним концом цепи. Если нормальная электронная структура цепи состоит только из одной зоны, одномерную модель легко исследовать методом близкой связи. [6]
Следовательно, уже на основе рассмотрения одномерной модели удается установить некоторые закономерности эпигенетического рудообразования на подвижном восстановительном барьере, в том числе: 1) существенное повышение ( на один-два порядка) концентрации раствора в области подвижного барьера и ниже его по потоку; 2) резкий характер тыловой границы оруденения. [7]
Первым недостатком ранних работ [33, 39 - 41, 43] является рассмотрение одномерной модели. Очевидно, что таким путем можно было получить лишь качественные результаты. [8]
При теоретическом анализе схемы авторы ограничились рассмотрением одномерной модели, в которой учитывается, что каждый электрон в пространстве взаимодействия участвует в процессе энергообмена с полем лишь на ограниченном участке, длина которого значительно меньше длины замедляющей системы. [9]
III анализ взаимодействия электронного потока с бегущей электромагнитной волной был ограничен рассмотрением одномерной модели движения электронов. Использование одномерной модели пучка значительно упрощает анализ процессов взаимодействия электронов и волны. Однако учет влияния поперечных компонент ВЧ поля и поперечных движений электронов необходим при расчете характеристик компактных приборов типа О миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов, использующих достаточно слабые магнитные поля. Кроме того, в приборах этих диапазонов с достаточно малой выходной мощностью практически всегда присутствуют статические поперечные возмущения траекторий электронов, которые также могут существенно изменить параметры прибора. Наконец, развитие двумерной ( или трехмерной) теории дает возможность более четко определить границы применимости одномерной модели движения электронов и тем самым более обоснованно использовать результаты анализа, основанного на этой модели. [10]
Для сильноточных приборов, как будет показано в гл, 4, результаты рассмотрения одномерной модели применимы лишь для определенных этапов переходного процесса, в частности для заключительного этапа, когда область включенного состояния сожмется в узкий токопроводящий канал. [12]
 |
Распределение концентрации грации приобретает вид, неравновесных носителей в базе фототранзистора. [13] |
Нетрудно разобраться в природе знаков первичных фототоков 4 и г в уравнениях ( 9), ( 10) при рассмотрении одномерной модели фототранзистора. [14]
 |
Распределение концентрации неравновесных носителей в базе фототранзистора. [15] |
Страницы: 1 2