Рассмотрение - транзистор
Cтраница 1
Рассмотрение транзистора как активного линейного четырехполюсника ( см. § 4.10) удобно для расчета электрических схем. Однако оно имеет и ряд недостатков, которые связаны прежде всего с тем, что параметры четырехполюсника вводят в известной степени формально и каждый из них может отражать влияние сразу нескольких физических процессов. Поэтому получаются сложные зависимости параметров четырехполюсника от режима работы транзистора ( постоянных напряжений и токов), от частоты и температуры. Чтобы упростить эти зависимости, свойства транзистора при малом переменном сигнале описывают с помощью эквивалентных схем. Графическое изображение эквивалентных схем позволяет более экономно зафиксировать основные соотношения. При расчетах с помощью эквивалентных схем сначала определяют токи и напряжения в самой схеме и затем переходят к каким-то другим параметрам, например параметрам четырехполюсника. [1]
Рассмотрение транзистора как активного линейного четырехполюсника ( § 2.10) удобно для расчета электрических схем. Однако оно имеет и ряд недостатков, которые связаны прежде всего с тем, что параметры четырехполюсника вводят в известной степени формально и каждый из них может отражать влияние сразу нескольких физических процессов. Поэтому получаются сложные зависимости параметров четырехполюсника от режима работы транзистора ( постоянных напряжений и токов), от частоты и температуры. Для того чтобы упростить эти зависимости, свойства транзистора при малом переменном сигнале описывают с помощью эквивалентных схем. [2]
Рассмотрение транзистора как активного линейного четырехполюсника ( § 4.10) удобно для расчета электрических схем. Однако оно имеет и ряд недостатков, которые связаны прежде всего с тем, что параметры четырехполюсника вводят в известной степени формально и каждый из них может отражать влияние сразу нескольких физических процессов. Поэтому получаются сложные зависимости параметров четырехполюсника от режима работы транзистора ( постоянных напряжений и токов), от частоты и температуры. Чтобы упростить эти зависимости, свойства транзистора при малом переменном сигнале описывают с помощью эквивалентных схем. [3]
 |
Форма сигналов на вхо - [ IMAGE ] Частотные характерис-де и выходе ОУ тики ОУ. [4] |
При рассмотрении транзистора ( § 1.5) было установлено, что с ростом частоты модуль коэффициента передачи р уменьшается и появляется запаздывающий фазовый сдвиг. Ки приобретает комплексный характер. [5]
 |
Форма сигналов на вхо - Ркс. Частотные характерно-де и выходе ОУ тики ОУ. [6] |
При рассмотрении транзистора ( § 1.5) было установлено, что с ростом частоты модуль коэффициента передачи р уменьшается и появляется запаздывающий фазовый сдвиг. Указанное явление обусловливает зависимость Ко ОУ от частоты: с ростом частоты Ки также уменьшается, появляется запаздывающий фазовый сдвиг, т.е. Ки приобретает комплексный характер. [7]
При рассмотрении транзистора в конкретном диапазоне частот эта схема может быть значительно упрощена. [8]
Ограничимся здесь рассмотрением транзисторов с изолированным затвором, которые имеют преимущества перед транзисторами с р-п переходом по своим высокочастотным свойствам. [9]
В работе [7] при рассмотрении транзистора, работающего в режиме лавинного умножения и при большом коэффициенте умножения, получены следующие выводы: 1) постоянная времени нарастания тока в лавинном транзисторе может быть значительно меньше времени пролета неосновных носителей через базу и существенно зависит от коэффициента умножения; 2) основную роль в перемещении заряда неосновных носителей через базу играет диффузионный механизм движения неосновных носителей. Это является следствием распределения по скоростям носителей, инжектированных в базовую область. При больших значениях коэффициента умножения практически только наиболее быстрые носители определяют процесс развития лавины. [10]
Необходимо иметь в виду, что при рассмотрении транзистора, работающего на высоких частотах ( рис. 33), узловые напряжения и внешние токи будут комплексными. [11]
 |
Схема отдельного биполярного р-п - р - транзистора.| Принципиальный способ исполнения униполярного МДП-транзистора. [12] |
Роль фотолитографии в полупроводниковой технике становится ясной, если обратиться к рассмотрению транзистора с р - - переходом. [13]
Многие явления, которые были обнаружены при анализе работы р-я-перехода диода с высоким уровнем инжекции, полностью справедливы для случая транзистора. Например, изменение эффективного коэффициента диффузии от величины, соответствующей низкому уровню инжекции, до величины, соответствующей высокому уровню инжекции, как мы увидим, будет существенным и при рассмотрении транзистора. И хотя проведенное здесь обсуждение относится к случаю постоянного тока, большинство выводов, сделанных для случая работы при высоком уровне инжекции, обычно применимо для оценки параметров широкополосных эквивалентных схем, рассмотренных в гл. [14]
Исследование этих емкостей необходимо для изучения свойств транзисторов, работающих на высоких и сверхвысоких частотах. При рассмотрении емкости р - - перехода ( см. § 4.8) было установлено, что она складывается из барьерной емкости Со, зависящей от объемного заряда в области р - - перехода, и из диффузионной CD, зависящей от тока диффузии и времени жизни носителей. Выражения, выведенные для расчета емкости р - - перехода диодов, могут быть использованы при рассмотрении транзисторов. [15]
Страницы: 1