Cтраница 1
Совсем иное рассмотрение электропроводности в системах с Н - связью основано на предположении двойного минимума потенциальной функции при движении атома водорода вдоль Н - связи. [1]
![]() |
Кристаллическая решетка атомов германия. [2] |
Для рассмотрения электропроводности типа р-п существенное значение имеет контакт двух полупроводников с электронной и дырочной электропроводностями, который представлен на рис. 8.12, а. [3]
![]() |
Экспериментальные значения микроскопической подвижности носителей, полученные измерением времени пролета в ряде органических и неорганических молекулярных кристаллов. [4] |
При рассмотрении электропроводности в модели перескоков ( прыжков) подчеркивается молекулярный характер проводящих состояний, в то время как зонная модель выявляет их коллективную приро - ДУ. [5]
При рассмотрении электропроводности кратко затронуты основы теории сильных электролитов и подробно описано современное состояние этого важного раздела физической химии. [6]
При рассмотрении электропроводности металлов ( § 161) мы учитывали действие поля на электрон на длине его свободного пути. Далее, мы считали, что при соударении с ионами, образующими остов кристаллической решетки металла, электрон теряет приобретенную под влиянием внешнего поля добавочную скорость. Движение же ионов в электролите мы будем рассматривать макроскопически; мы будем считать, что на ион в электролите действуют две силы - электрическая сила qE, где q - заряд иона, и Е - напряженность электрического поля, и сила сопротивления среды. Такая точка зрения оправдывается тем, что ионы крупнее электронов и густо окружены молекулами растворителя. В большинстве случаев ион облеплен нейтральными молекулами, так что под влиянием поля Е движется целый комплекс, носящий название сольвата. [7]
При рассмотрении электропроводности газов было указано, что электрически заряженные частицы могут действовать как центры конденсаииъ и - при более высоких давлениях, по крайней мере - вызывать образование моль-ионов. [8]
В заключение рассмотрения электропроводности индивидуальных расплавленных солей отметим, что если катион дает несколько степеней окисления, то в ряде случаев расплавленная соль, образованная катионом большей степени окисления, обнаруживает менее высокую электропроводность. Это объясняется тем, что катион, окруженный большим числом анионов, оказывается экранированным. Такие соли, как мы видели выше ( см. § 2), являются обычно молекулярными соединениями, поэтому характеризуются крайне низкой электропроводностью в расплавленном состоянии. [9]
![]() |
Структурные схемы кристаллов германия. а - с примесью сурьмы. б - о примесью индия. [10] |
Однако при рассмотрении электропроводности полупроводников полагают, что, в них имеется два вида носителей заряда: электроны и дырки. Если некоторый электрон получает извне энергию, достаточную, чтобы порвать парно-электронную связь между атомами, то он становится свободным. На не замещенное электроном место может перейти другой электрон, порвавший связь с атомом и образовавший новую дырку. [11]
Потаповым предложено применение зонной схемы при рассмотрении электропроводности стекла. Необходимые для этого исходные данные могут быть получены из поглощения в ультрафиолетовой области и наблюдения бомбардировки медленными электронами и ионами. [12]
Интересно рассмотреть связь коэффициента диффузии с понятием подвижности, которое мы ввели при рассмотрении электропроводности. Подвижность - это скорость, которую приобретает частица при действии единичной силы. Если в двух точках раствора концентрация различна, то и величина парциальной мольной свободной энергии компонента Gm в этих точках будет разной. [13]
Интересно рассмотреть связь коэффициентов диффузии с понятием подвижности, которое мы ввели при рассмотрении электропроводности. Подвижность - это скорость, которую приобретает частица при действии единичной силы. Если в двух точках раствора концентрация различна, то и величина парциальной молярной энергии Гиббса компонента Gm в этих точках будет разной. Следовательно, при переходе молекулы из одной точки в другую будет производиться работа, равная убыли энергии Гиббса: W-Gm, где индекс т указывает на то, что энергия Гиббса относится не к молю, а к молекуле. Но работа равна произведению силы на путь. [14]
В связи с этим Фуосс и Онзагер более подробно рассмотрели зависимость электропроводности от концентрации для неассоциированных электролитов, а Фуосс использовал результаты этого исследования для рассмотрения электропроводности слабо ассоциированных электролитов. [15]