Более подробное рассмотрение

Cтраница 1

Более подробное рассмотрение с точки зрения мультиплетной теории показывает [32], что энергии связей содержат сублимационный член, зависящий от микрошероховатости поверхности. Поэтому найденные Q должны зависеть от способа приготовления катализатора ( а также от природы носителя), так как при этом меняется число, а иногда и природа атомов катализатора, соседних с активным центром. Опыт показывает, что это действительно и наблюдается; в качестве примера в табл. 6 приведены результаты, полученные для окиси хрома. [2]

Более подробное рассмотрение указанных выше вопросов содержится как в цитируемой [1-7], так и в общей литературе ( см. стр. [3]

Более подробное рассмотрение позволяет сделать вывод, что вещества с положительным инкрементом являются преимущественно амфотерными электролитами ( амфолитами) и полиэлектролитами, а также о том, что диэлектрический инкремент является важной величиной для исследования молекулярных свойств веществ. [4]

Более подробное рассмотрение позволяет расположить отдельные группы по - М - значениям. [5]

К вопросу об угловых распределениях излучения пучков с вогнутыми и выпуклыми волновыми фронтами. [6]

Более подробное рассмотрение ( [16], § 5.3) действительно показывает, что если две следующие в разные стороны волны комплексно сопряжены в какой-то одной плоскости, то их волновые фронты и формы распределений амплитуды полностью совпадают во всем пустом пространстве. [7]

Более подробное рассмотрение этих проблем на примере суперструны Грина - Шварца проводится в гл. [8]

Более подробное рассмотрение, связанное с учетом влияния кристаллической решетки, не изменяет общего результата. [9]

Более подробное рассмотрение показывает ( см. § 65), что в действительности при таком расчете мы пренебрегаем не полем тяготения Солнца, а лишь его неоднородностью в той области пространства, где преобладающим является поле тяжести Земли. Однородная составляющая поля тяготения Солнца компенсируется силами инерции, возникающими из-за свободного падения Земли на Солнце. Поэтому ошибка, которую мы делаем при вычислении третьей космической скорости, ничтожна. [10]

Примерное распределение тока в стальном предмете, нагретом выше точки превращений на глубину хк.| Распределение температуры по сечению при индукционном нагреве / - нагрев глубинного типа. 2 - нагрев поверхностного типа. Т0 - температура поверхности, Тк - температура магнитных превращений ( расчетная температура закалки. [11]

Более подробное рассмотрение ( см. § 4 - 2) показывает, что кривая в наружном слое идет более полого из-за частичного отражения от внутренней границы слоя электромагнитной энергии, проникающей в металл. При таком характере распределения плотности тока выделение энергии в нагреваемом слое, и, следовательно, нагрев его происходят более равномерно. [12]

Более подробное рассмотрение кондукционных МГД-машин в задачи настоящей книги не входит. [13]

Более подробное рассмотрение этой картины может также объяснить, почему в тех случаях, когда изменения в выходе фотосинтеза связаны с изменениями флуоресценции, меняется не только в широких пределах абсолютная величина последних, но иногда даже и знак эффекта становится обратным, обычный антипараллелизм заменяется параллельным возрастанием ( или уменьшением) квантовых выходов как фотосинтеза, так и флуоресценции. [14]

Наложение трех последовательных импульсов. каждый из них разогревает ЖИДКОСТЬ ( ДИЭТИЛОВЫЙ Эфир ОТ 1КОМ. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5