Cтраница 2
Эти данные можно применять даже к магнитным краевым полям, если напряженность поля поддерживается достаточно низкой по сравнению с напряженностью, соответствующей насыщению железных полюсных наконечников магнита. Для этого необходимо закруглить углы полюсных наконечников и экранирующих пластин, чтобы избежать чрезмерного увеличения напряженности поля в этих местах. Чтобы краевое магнитное поле не препятствовало экранированию, расстояние экрана от границы поля должно превышать зазор между полюсами магнита. [16]