Выбранное расстояние

Cтраница 3

Величина h зависит от массовых скоростей пара и жидкости, степени смачиваемости поверхности насадки, диаметра колонны, отношения диаметра колонны к размеру насадки, высоты слоя насадки, распределения потоков по сечению колонны, физико-химич. При любой конструкции тарелок или других распределительных устройств высота тарельчатой ректификационной колонны определяется числом действительных тарелок и выбранным расстоянием между ними. Диаметр колонны определяется пропускной способностью выбранного распределительного устройства по паровой и жидкой фазам. [31]

Система ПИА - сканирования. [32]

Система со слиянием зон, основанная на прерывистой подаче, показана на рис. 4.20. Насосы 1 и П работают так, что, когда насос I работает, насос П отключен, и наоборот. Таким образом, зона образца вначале транспортируется от точки ввода посредством насоса I; затем, на выбранном расстоянии от точки слияния, включается насос П, который продолжает прокачивать поток носителя, в то время как происходит добавка реагента. После того как зона образца пройдет точку слияния, режим работы насосов меняется на. Такая система позволяет регулировать длину зоны реагента простым выбором различных периодов пуск и стоп таймера и получать различные градиенты концентрации в промежутке между зоной образца, раствором реагента и потоком носителя. [33]

Послойными многократными отражениями являются такие, в которых участвуют по крайней мере две отражающие поверхности, кроме границы раздела земля - воздух. Только в особых случаях возможно идентифицировать такие отражения и вывести формулы, определяющие время отражения и дифференциал времени отражения по выбранным расстояниям ( разность времени подступления отраженной волны к центральному и крайнему сейсмопрмемникам) для этого класса многократных отражений. Можно, однако, показать, что приближенное время и разница во времени, определенная по формуле, выведенной при допущении, что все ( три или более) отражающие поверхности действуют одновременно, примерно совпадают для приемлемых углов наклона даже в том случае, когда поверхности действуют неодновременно. [34]

Динамометр РМБ-30-2М для определения сопротивления бумаги разрыву. [35]

На линейке 15 установлен упор 17, положение которого фиксируется винтом с накаткой. В зависимости от выбранного расстояния между зажимами ( от длины испытуемого образца) упор 17 устанавливается на линейке 15 таким образом, чтобы нижний торец неподвижного штока соприкасался с пластиной, на которой смонтирован узел нижнего штока. [36]

На рис. 199 даны профили скоростей в последовательных сечениях 1 - 6 ламинарного ( сплошные кривые), переходного и турбулентного ( штриховые кривые) пограничного слоя на крыле при одном и том же значении Re набегающего потока. Как было уже показано на рис. 196, эти профили значительно друг от друга отличаются. Вертикальная прямая соответствует выбранному расстоянию у h носика микротрубки от поверхности крыла. [37]

Орбитальная модель атома водорода. а - общий вид. б - раареэ.| Графическое выделение ррбитали ( области с 90 % - ой вероятностью Пребывания электрона в Атоме водорода. [38]

Обоснование орбитальной модели атома, исходящее из корпускулярного характера электрона, состоит в следующем. Вероятность определенного положения электрона внутри объема пространства, окружающего атомное ядро, весьма велика, так как рассматривается устойчивое ( реально существующее) состояние атома. Такое распределение следует понимать так, что на любом выбранном расстоянии от ядра вероятность пребывания электрона одинакова во всех направлениях радиуса-вектора. Как следует из рис. 9, вероятность пребывания электрона в атомном ядре равна нулю, она незначительна вблизи ядра, но быстро возрастает при удалении от ядра. На некотором расстоянии ( для атома водорода оно равно. Бора) вероятность достигает максимума, а затем, медленно уменьшается, асимптотически приближаясь к нулю на расстоянии, стремящемся к бесконечности. [39]

Многие химики отношению активностей придают большее значение, чем отношению концентраций, и, в принципе, отношения активностей предпочтительнее для обсуждения факторов, управляющих устойчивостью комплексов. Однако точное определение значений этих термодинамических констант устойчивости может оказаться очень трудным, особенно для систем, в которых сосуществует несколько комплексов. В самом деле, для слабых комплексов значение ТКП зависит от произвольно выбранного расстояния максимального сближения свободных А и В. Поэтому лучше получать надежные значения стехиометрических констант ( которые описывают устойчивость форм относительно соответствующих комплексов с молекулами растворителя и ионами среды; см. гл. [40]

Вместо технологического отверстия могут применяться специальные оправки с шаровым наконечником или конусом. Оправку с помощью концевых мер и индикатора устанавливают на заданный размер от основания. Совместив ось шпинделя с осью, проходящей через точку М в горизонтальном положении планшайбы, на произвольно выбранном расстоянии от оси стола, совмещают оси шпинделя станка и шарового наконечника или острие конуса оправки. Наклонив стол на заданный угол, совмещают оси шпинделя и шарового наконечника, после чего обрабатывают наклонное отверстие. [41]

Трансформация сопротивлений посредством устройства, взображеиного на, при условии, что расстояние между точками А и В отличается от Х / 4. В этом случае линия Р (, параллельная мнимой оси, преобразуется в окружность, которая касается мнимой оси в точке с конечным значением / Q. В остальном этот случай не отличается К от случая, показанного на рнс. [42]

На рис. 54.6 в самом общем виде изображено переменное трансформирующее звено. Здесь последовательно включены два сложных устройства без потерь, каждое из которых эквивалентно реактивному сопротивлению В или В2, изменяющемуся в пределах от - / оо до / оо. Эквивалентная схема этого звена изображена на рис. 54.7. Бели не учитывать идеальные трансформаторы, действие которых сводится только к изменению сопротивлений в определенное число раз, можно сказать, что эта схема аналогична устройству с двумя шлейфами при произвольно выбранном расстоянии между ними. Таким образом; невозможно создать устройство, соответствующее рис. 54.6, с помощью которого можно было бы осуществить согласование в любом случае. [43]

Распределение подземном сооружении защите. [44]

Как видно, и сама анодная зона уменьшилась, и уменьшился анодный потенциал. Из рис. 10.7 видно, во-первых, что вследствие затухания потенциала катодной защиты большую роль играет расположение источника энергии и, во-вторых, что при достаточно протяженном подземном сооружении для снятия анодных потенциалов приходится устанавливать ряд катодных станций, с соответственно выбранным расстоянием между ними. Оказывает влияние и расположение заземления относительно подземного сооружения. [45]

Страницы: 1 2 3 4