Искомое расстояние

Cтраница 3

Отрезок О5К равен искомому расстоянию. [31]

Отрезок D5KS равен искомому расстоянию. [32]

Отрезок I является искомым расстоянием. [33]

Отрезок / является искомым расстоянием. [34]

Решение, а) Искомое расстояние ( рис. 265, а) равно расстоянию от данной точки до ближайшей к ней образующей. Эта образующая лежит в пл. [35]

Радиусы нейтральных атомов, нм. [36]

Де rmax и есть искомое расстояние от ядра до максимума электронной плотности. В табл. 19.3 приведены вычисленные значения rmax для атомов некоторых элементов периодической системы. [37]

Используйте то, что искомое расстояние равно также h - ( R - - r), где ft - высота к основанию. [38]

Отсюда также следует, что искомое расстояние равно расстоянию от точки С до плоскости SEF. [39]

Составляя пропорцию, получим для искомого расстояния значение, равное 100х25 / 5 - 108 50 - Ю4 мм. [40]

Высота c2rfa треугольника аа62с2 является искомым расстоянием. Построение видно из чертежа. [41]

Как следует из полученных результатов, искомое расстояние определяется в данном случае импульсным испытательным напряжением, поскольку оно должно быть несколько больше, чем для напряжения 50 гц. [42]

На рис. 159, ей г искомое расстояние / определено способом перемены плоскостей проекций. [43]

Структура операций для ОМП по параметрам аварийного режима. [44]

Эго означает, что для вычисления искомого расстояния требуется составление не менее двух уравнений. Поскольку переходное сопротивление в месте повреждения многопроводной ВЛ может быть представлено квадратной матрицей, то и уравнения в общем случае являются матричными. В этих условиях измерение ПАР только с одного конца поврежденной ВЛ в большинстве случаев не является достаточным для ОМП с необходимой точностью. [45]

Страницы: 1 2 3 4