Раствор - замещение
Cтраница 2
Для элементов, образующих растворы замещения, зависимость энергии активации от физических характеристик элемента оказывается более сложной. Помимо соотношения размеров диффундирующего атома и атома растворителя приобретают значение и другие факторы, например способность к всестороннему сжатию растворенного атома, возможность в связи с этим уменьшения его размеров. [16]
Твердые растворы делятся на растворы замещения, внедрения и вычитания. Наиболее распространенными являются твердые растворы замещения, которые образуются при сохранении структуры кристаллической решетки растворителя. При этом атомы, ионы или молекулы одного вещества замещают в узлах кристаллической решетки частицы другого вещества. Образование таких растворов возможно при условии, если оба компонента близки по кристаллохимическим свойствам и размерам частиц. [17]
Рассмотрим в качестве примера раствор замещения примеси As в Ge. За исключением лишнего, пятого электрона, ион As очень сходен с ионом Ge, так что в первом приближении можно считать, что структура энергетических уровней всего кристалла практически сохранится неизменной, если, конечно, замена атомов Ge атомами мышьяка будет произведена всего в нескольких местах. Лишний - пятый электрон атома As, не участвующий в четырех валентных связях решетки, будет находиться под действием периодического поля решетки и кулоновского поля иона. Потенциал этого кулоновского поля будет ослаблен по сравнению, например, с обычным потенциалом иона в вакууме из-за влияния всего кристалла в целом. [18]
Так, при образовании раствора замещения ион Li образует два дефекта: собственно ион Li на месте иона Ва и анионную вакансию. Ион Ni2 дает при образовании раствора замещения только один дефект-вакансий в этом случае не образуется. Анологичная ситуация возникает и при образовании раствора внедрения. [19]
Так, при образовании растворов замещения диффузия происходит через дефекты, а чаще всего по вакантным узлам решетки. [20]
Как и в случае раствора замещения модель идеального раствора ( замещения или внедрения) редко адекватно описывает точные экспериментальные данные. Необходимы более реалистичные модели. [22]
Образующийся раствор обычно является раствором замещения. В отличие от растворов внедрения в нем не возникают значительные искажения кристаллической решетки и большие внутренние напряжения. По этой причине пересыщенность твердого раствора мало влияет на повышение его твердости и прочности и снижение пластичности. Поэтому дисперсионно-твердею-щие сплавы в закаленном состоянии могут подвергаться различным воздействиям с целью формоизменения для изготовления деталей. [23]
Твердые растворы могут быть растворами замещения и растворами внедрения. В растворах замещения атомы растворенного элемента замещают атомы элемента-растворителя в узлах его кристаллической решетки, в растворах внедрения - внедрены в межузельное пространство. В данном случае невозможно установить какой из элементов является растворителем, а какой растворенным веществом. Поэтому аббревиатуры неограниченных растворов А ( В) и В ( А) идентичны. [24]
Между процессами упорядочения в растворах замещения и внедрения не существует принципиального различия. В этом можно легко убедиться, если обратить внимание на следующее обстоятельство: незаполненные позиции внедрения ( вакансии атомов внедрения) и сами атомы внедрения формально могут рассматриваться как раствор замещения между вакансиями и атомами внедрения. Что же касается атомов растворителя, то они не принимают участия в упорядочении и образуют неподвижный атомный остов, в поле которого перераспределяются атомы внедрения. [25]
При легировании полупроводника примесью образуются как-твердые растворы замещения, так и твердые растворы внедрения: Электрическая активность примесей характеризуется в основном числом и распределением связей атома примеси с соседними атомами основного вещества. Известно, что в кристаллах со структурой типа алмаза ( германий, кремний, алмаз) акцепторами являются элементы третьей группы, атомы которых устанавливают связь только с тремя из четырех окружающих их атомов и генерируют, таким образом, дырку, а донорами - элементы пятой группы, у которых после установления связей со всеми четырьмя соседними атомами остается один свободный электрон, легко переводящийся в зону проводимости. [26]
Покажем, что высокотемпературное упрочнение растворов замещения может осуществляться механизмом Сузуки. [27]
Так как мышьяк в Qe образует раствор замещения, то полученное значение р 1 свидетельствует о том, что в сильно легированном n - Ge фононы рассеиваются не на атомах As, а на иных центрах, концентрация которых возрастает с повышением степени легирования. [28]
 |
Кривые волокна в изломе и ударной вязкости ванадия различной чистоты при ударных испытаниях.| Кривые прогиба при разрушении и волокна в изломе при статических испытаниях. [29] |
Влияние легирующих элементов, образующих твердые растворы замещения ( в данном случае Ti, Nb, Mo, W), на механические свойства и порог хладноломкости ванадия исследовалось достаточно подробно. [30]
Страницы: 1 2 3 4