Cтраница 2
![]() |
Параметры растворимости ( при 25 С ряда соединений.| Критическая температура растворения бинарной смеси. [16] |
Поэтому знании параметров растворимости помпезно при выборе пар несмешивающихся фаз. [17]
Так, знание параметров v и а в вышеуказанных случаях, связанных с нормальным распределением, дает возможность решать инженерные задачи из области точности обработки и точности измерений. [18]
Тем не менее знание параметров ( 12 - 6) - потенциала может принести пользу, так как позволяет приближенно охарактеризовать межмолекулярные взаимодействия. Это относится и к веществам, состоящим из несферических, в том числе полярных молекул, приведенных в кн. [2], к которым не только ( 12 - 6) - потенциал, но и любой степенной потенциал вида (IV.5) заведомо неприменим. [19]
Большую роль играет знание параметров диффузии составных и инородных элементов в поверхностном слое при окислении металла ( сплава) и формировании диффузионного покрытия для выяснения механизма этих процессов. [20]
![]() |
Зависимость Ас. от псевдоприведенного давления для различных псевдоприведенных температур по Перри. [21] |
Использование этой диаграммы предполагает знание псевдоприведенных параметров. [22]
![]() |
Движение жидкости. [23] |
Большое практическое значение имеет знание параметров движения жидкости, проходящей через определенные сечения или обтекающей тела, находящиеся в пространстве, заполненном жидкостью. [24]
Методические погрешности обусловлены неточностью знания параметров физических процессов. [25]
Все это вызывает необходимость знания параметров ударных взаимодействий частей аппаратов. Они могут быть получены либо путем непосредственного их анализа, либо путем изучения побочных процессов, к которым приводят удары. [26]
![]() |
Возникновение рентгенограммы вращения.| Определение периода идентичности кристалла по рентгенограмме вращения.| Рентгенограмма вращения. [27] |
Для определения типа решетки необходимо знание параметров а, Ъ и с. Затем получают рентгенограммы вращения вдоль плоских диагоналей граней и по пространственной диагонали. В случае центрировки решетки по некоторым из этих направлений параметр окажется вдвое меньшим, чем вычисленный из значений а, Ъ и с в предположении примитивной ячейки. [28]
Сравнительно точный расчет предполагает также знание параметров конкретного транзистора, а котором построен каскад. [29]
Область устойчивости ТС определяется совокупностью знаний параметров ( режимов обработки, геометрии и конструкции инструментов и технологической оснастки), при которой система заданной структуры является устойчивой. [30]