Ретроградная растворимость

Cтраница 2

Светоизлучающие структуры на основе нитрида галлия получают в одном процессе: вначале выращивают слой нелегированного материала, обладающего высокой электронной электропроводимостью за счет вакансий в подрешетке азота, затем на этот слой наращивают компенсированный i-слой, легированный цинком. Вследствие того что цинк обладает ретроградной растворимостью, рост легированного слоя осуществляется при температуре 900 С. [16]

Зависимость концентрации носителей в пленках РЬТе на NaCl ( штрихи и BaF2 ( сплошные линии от парциального давления паров Те2 при Ти 400 С ( 7. [17]

Тор пленки имеют электронную проводимость, причем концентрация электронов при давлениях менее 1 ( Г5 Тор не зависит от давления паров теллура. Авторы [73] связывают это с ретроградной растворимостью свинца в РЬТе, в результате чего концентрация электронов остается постоянной, пока давление паров теллура достаточно высокое для компенсации действия избытка свинца. [18]

Примеси тяжелых и благородных металлов ( Fe, Ni, Сг, Nb, W, Си, Ag, Аи н др.) образуют глубокие уровни в запрещенной зоне, имеют большие сечения захвата носителей и являются эффективными центрами рекомбинации, что приводит к значит, снижению времени жизни носителей. Эти примеси обладают малой в ярко выраженной ретроградной растворимостью. [19]

Фаза а существует во всем температурном интервале вплоть до соли-дуса. Как предполагается в работе [1], ретроградная растворимость по границе ( а а) / а свидетельствует о существовании низкотемпературной фазы, хотя при последующем диффе-реищиальном термическом анализе теплового эффекта не обнаружено. [20]

Оказалось, что для большинства изученных условий водород проявляет ретроградную растворимость в углеводородах и только когда концентрация углеводородов в паровой фазе достигает значительной величины, растворимость его становится нормальной. Присутствие водорода увеличивает давление сходимости. [21]

Уменьшение растворимости при понижении температуры наблюдается у большинства веществ. Существуют, однако, немногие вещества с так называемой ретроградной растворимостью, растущей при понижении температуры; для них, естественно, метод кристаллизации путем понижения температуры непригоден. [22]

График зависимости роста. [23]

Как правило, используемые технологические среды имеют в рабочих условиях положительные температурные коэффициенты растворимости выращиваемого минерала. Поэтому в нижней части рабочей полости осуществляют растворение исходного материала, а в верхней - рост кристаллов. Для случаев ретроградной растворимости расположение зон роста и растворения обратное. Разность между температурами в зонах растворения и роста, получившая название температурного перепада, является очень важным технологическим параметром. Этот перепад, с одной стороны, обеспечивает необходимую интенсивность массообмена между зонами, являясь движущей силой свободной конвекции, с другой - создает определенный уровень пересыщения растворенного минерала в зоне роста. Тем самым температурный перепад является одним из основных регуляторов скоростей роста монокристаллов. Другим фактором, влияющим на интенсивность процесса кристаллообразования, является величина пропускного сечения рабочей полости между зонами растворения и роста. Для фиксации нужного уровня массообмена между зонами устанавливают специальную перегородку ( диафрагму), имеющую отверстия или струенаправляющие устройства с заданной величиной суммарной площади пропускного сечения. [24]

ДЯ - теплота растворения, R - газовая постоянная. Для эндотермической реакции наклон кривой температурной зависимости растворимости положителен, как на фиг. Если же реакция экзотермическая, то наклон кривой отрицателен ( так называемая ретроградная растворимость ], но выращивание методами, перечисленными в разд. II, А выращивание производится при повышении температуры, а в методе I, Б - при температурах, превышающих температуру растворения. [25]

Были обнаружены две промежуточные фазы: у и СоТе2, последняя имеет узкую область гомогенности 66 8 - 67 8 % ( ат. Фаза 7 плавится примерно при 1010 С; соединение СоТе2 образуется по перитектической реакции при 749 С. Дифференциальным термическим анализом при нагревании гомогенизированных сплавов была установлена ретроградная растворимость Те в у-фазе при температурах выше перитектической. На кривых охлаждения наблюдали площадку при 449 С ( температура плавления Те); в работе [2] утверждается, что это - эвтектическое превращение, однако нет доказательств, подтверждающих протекание именно этого превращения, а не перитектического. При температуре 960 С у образует эвтектику с твердым раствором на основе Со, концентрация эвтектической точки 40 9 % ( ат. [26]

Исследование величины и природы отклонения от стехиометрии монокристаллов HgTe, выращенных методом Бриджмена, было выполнено Левицкой, Ванюковым, Крестовниковым и Быхановым [75] путем совместного рассмотрения температурной зависимости коэффициента Холла и подвижности носителей от комнатной до гелиевых температур. Изучение Р - - диаграммы состояния HgTe показало, что при 300 и 353 С область гомогенности распространяется в обе стороны от стехиометрического состава. То же отмечается при 500 и 600 С и максимальном давлении пара ртути. Как видно из этих данных, проекция Т - х области гомогенности HgTe характеризуется ярко выраженной ретроградной растворимостью ртути в HgTe с максимумом растворимости при 350 С. Теллурид ртути с избытком ртути n - типа может существовать только в интервале от 280 до 380 С. [27]

Этим методом сравнительно просто могут быть получены сильно легированные монокристаллы. Легирующая примесь вводится в рабочее пространство печи либо в виде легколетучего соединения ( галогенида, гидрида), либо в элементарном состоянии. Добавка элементарной примеси используется обычно при кристаллизации полупроводниковых соединений с летучей компонентой. Концентрация примеси в газовой фазе регулируется составом газовой смеси, а в случае элементарных добавок - температурой источника. Кристаллизация из газовой фазы производится при более низких температурах, чем при выращивании из расплава. Так как большинство легирующих примесей в основных полупроводниках обладает ретроградной растворимостью, то при кристаллизации из газовой фазы температура подложки может быть выбрана близкой к температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике - это обеспечит введение примеси в кристалл с максимальной концентрацией. [28]

Автоклав закрывают и накачивают до нужного давления. Передающей давление жидкостью обычно служит вода, а насосом - мультипликатор с пневматическим приводом. Давление воздуха, подаваемого к мультипликатору, контролируют при помощи игольчатого вентиля и таким образом устанавливают и поддерживают постоянным давление воды. Затем автоклав нагревают до нужной температуры ( при помощи трубчатой печи, которую можно надвигать на автоклав) и выдерживают более длительное время, чем нужно для установления равновесия. Затем температуру снижают и автоклав охлаждают в потоке воздуха или закаливают в воде. Содержимое капсулы изучают рентгенографически, под петрографическим микроскопом и другими способами. В результате определяют устойчивую фазу в одной точке диаграммы Р - Т - состав. Чтобы определить всю диаграмму состояния, процесс повторяют. Если взвешенные монокристаллы или кристаллы помещены в капсуле в условия, где данная фаза устойчива, а флюидная фаза представляет собой только жидкость или только газ, то мерой растворимости будут служить потери веса. Однако особое внимание нужно уделить тому, чтобы избежать превышения заданной температуры в период нагревания, потери вещества до взвешивания или взвешивания вещества, выпавшего в осадок во время закаливания. Иногда температурный коэффициент растворимости ( ds / dT) p отрицателен ( так называемая ретроградная растворимость), и тогда приходится выращивать кристаллы в условиях обратного температурного перепада. [29]

Страницы: 1 2