Cтраница 2
Движение зарядов в полупроводнике под действием приложенного к нему внешнего электрического поля существенно отличается от движения зарядов в вакууме. Эти отличия определяются, во-первых, тем, что кроме внешнего электрического поля на заряды действует внутреннее электрическое поле кристаллической решетки полупроводника. Учесть воздействие этого поля на движение зарядов в полупроводниках можно введением в уравнения движения вместо массы покоящегося электрона т0 эффективной массы электронов тп к дырок тр, значения которых могут отличаться друг от друга и от то. При этом происходит рассеяние электронов, в процессе которого они отдают энергию, приобретенную под действием внешнего поля, и изменяют направление движения. Отрезок пути, который проходит электрон ( или дырка) между двумя Последовательными взаимодействиями, называется длиной свобод я ого пробега / п для электронов и 1р для дырок. Значение длины свободного пробега заряда в полупроводнике зависит от типа полупроводника, количества и характера примесей и дефектов кристалла, а также от температуры, При низких значениях температуры длина свободного пробега ограничивается примесями и дефектами, а при высоких - тепловыми колебаниями атомов кристаллической решетки. [16]