Cтраница 4
Вольтамперные характеристики вентилей. а - селенового. б - меднозакисного. [46] |
На рис. 22, б показана конструкция меднозакисного вентиля, отличающегося от селенового наличием радиаторных пластин, предназначенных для увеличения площади охлаждения электродов. [47]
Как видно из характеристики, обратный ток меднозакисного вентиля во много раз меньше прямого тока. При обратном напряжении около 15 в обратный ток начинает резко увеличиваться, и наступает пробой запирающего слоя. Допустимое значение прямого тока определяется допустимой температурой нагрева вентиля. [48]
На рис. 39 изображено семейство вольтамперных характеристик меднозакисного вентиля. [50]
Допустимая плотность прямого тока и допустимое обратное напряжение меднозакисных вентилей весьма сильно зависят от условий работы и конструкции вентильного комплекта. В зависимости от интенсивности охлаждения плотность прямого тока может быть выбрана в пределах от 50 до 150 ма на 1 см2 рабочей поверхности вентиля. [51]
Влага и пары кислот сильно снижают надежность работы меднозакисных вентилей. Так, влага, проникнув к слою закиси меди, вызывает электрический пробой вентиля. Для защиты вентилей от паров воды и от кислот применяют различные лакокрасочные покрытия. В ряде случаев целесообразно помещать вентили в сосуды с трансформаторным маслом. [52]
На рис. 18 - 57 приведена в качестве примера вольт-амперная характеристика меднозакисного вентиля, из которой видно, что даже при обратном напряжении, в 10 раз большем прямого напряжения, обратный ток в 200 раз меньше прямого тока. Ниже будут приведены вольт-амперные характеристики и для других типов полупроводниковых вентилей. [53]
Но малые размеры используемых диодов и малая собственная емкость их позволяют применять меднозакисные вентили в цепях тока частотой до 20 - 40 кгц. [54]
Схема устройства германиевого транзистора. [55] |
В некоторых случаях ( например, для измерений) существенно то обстоятельство, что меднозакисный вентиль удовлетворительно выпрямляет уже при 25 - 30 мв, а селеновый начинает выпрямлять лишь при 100 мв. [56]
Различие их сводится к тому, что, начиная с некоторого порогового значения прямого напряжения, у меднозакисных вентилей имеется почти линейная зависимость между прямым током и напряжением. [57]
Из различных видов полупроводниковых вентилей ( селеновых, сульфидных, меднозакисных и кристаллических) в детекторных приборах обычно применяются меднозакисные вентили, называемые также купроксными, а в последнее время стали применяться кристаллические. Приборы с купроксными вентилями часто называют купроксными приборами. [58]
При чрезмерно высоком обратном напряжении происходит пробой полупроводникового слоя. Меднозакисные вентили при этом выходят из строя, а селеновые часто самовосстанавливаются за счет оплавления места пробоя аморфной модификацией селена, являющейся диэлектриком. [59]
При работе полупроводниковых устройств следует всегда иметь в виду, что при чрезмерно высоком напряжении происходит пробой полупроводникового слоя. Меднозакисные вентили при этом выходят из строя, а селеновые часто самовосстанавливаются за счет оплавления места пробоя амфорной модификацией селена, являющейся диэлектриком. [60]