Cтраница 3
Измерительная ячейка находится в цепи переменного тока. В этом случае для измерения RL значение импеданса поверхности раздела должно быть очень незначительно ( RCD или р очень мало) и Rc значительно больше, чем L. Это требование выполняется при относительно большом расстоянии d между пластинами электродов с поверхностью F ( CL-F / d; RCL l / coCL) и не очень высоких частотах. Поскольку в случае емкости двойного электрического слоя речь идет о молекулярном конденсаторе ( расстояние между пластинами d - 10 - 8 см), емкость его большая и в соответствии с этим емкостное сопротивление мало. При этом точность измерения определяется соотношением двух соответствующих сопротивлений. Это соотношение можно изменять выбором частоты поля, так как сопротивление электролита в отличие от емкостного сопротивления не зависит от частоты. [31]
Для линейного объекта мы просто присвоить ему значение импеданса, непреодолимое в рамках решаемой задачи. На Рисунке 8.6 Ьячейкам барьера приписано значение импеданса 1000, которое считается непреодолимым, и, следовательно делает барьер абсолютным. В других случаях этого значения может оказаться недостаточно, поэтому вы должны сами решать, какое значение использовать для вашей конкретной задачи. [32]
Если использовать симметричный мост ( в котором значения импеданса третьего и четвертого участков равны), то искомые составляющие импеданса ячейки будут равны значениям Rs2 и Cs2 или Rpi2 и Ср 2 на втором участке моста. [33]
К сожалению, величина Z не всегда может быть определена. Приведем несколько известных случаев конструкции конца трубы, для которых найдено значение импеданса. В случае жестко закрытого конца трубы скорость v равна нулю. [34]
Очевидно, что устойчивость прибора зависит также от значения параметров LJ CJ, L 2 C 2 внешних идеальных ( без потерь) контуров. Эти контуры используются как вспомогательные внешние измерительные элементы, подбором которых можно реализовать благоприятные для возбуждения значения реактивных составляющих импедансов, непосредственно подключаемых к внешним зажимам прибора. [35]
Роль конвекции, определяемая вторыми слагаемыми в числителе и знаменателе (7.14), тем больше, чем меньше значение нормированного нормального импеданса Z. В целом влияние конвекции на величину CR возрастает с ростом скорости движения источника, т.е. с увеличением числа Маха. [36]
Третий фактор относится к принятому при решении на ЭВМ допущению о постоянной скорости удара после конечного промежутка времени нарастания скорости. Это условие эквивалентно гипотезе о пол ном4 отражении на поверхности контакта и представляется обоснованным ввиду большой разницы между значениями импеданса. [37]
Здесь программа не просто ищет наименьшее значение, но вычисляет значение для каждой смежной ячейки с учетом как эвклидова расстояния, так и значения импеданса. При необходимости могут вычисляться и диагональные расстояния между ячейками. [39]
Для этого на поверхности вспомогательного тела, имеющего ту же форму, что и в исходной задаче, вместо истинных граничных условий задачи дифракции ставятся какие-либо вспомогательные условия, содержащие параметр, играющий роль собственного значения. Например, в ш-методе ( § 9) на границе тела ставится условие импедансного типа, и собственными значениями соответствующей однородной задачи являются те значения импеданса ш вспомогательного тела, при которых существуют нетривиальные решения на заданной частоте. Эти коэффициенты определяются из оставшегося условия, состоящего в том, чтобы искомое поле удовлетворяло истинным граничным условиям. При этом используются имеющие здесь место соотношения ортогональности. [40]
Восстановление сигнала по постоянному току.| Диодный ограничитель. [41] |
На практике малое значение импеданса эталонного источника обеспечивается за счет использования транзистора или операционного усилителя. Такой способ, конечно, лучше, чем использование резисторов с очень малым сопротивлением, так как он не приводит к потреблению больших токов и обеспечивает значения импеданса порядка нескольких ом и ниже. [42]
Здесь через ZBX обозначен суммарный импеданс снизу от границы. По отношению к волне, падающей сверху, он является входным. Раскроем значение суммарного импеданса сверху от границы с учетом (1.25), обозначив через paR давление в отраженной волне. [43]
Следует подчеркнуть, что эффект возникновения термо - ЭДС горячих носителей проявляется лишь в определенном интервале СВЧ мощности. Динамический диапазон составляет не более 20 дБ, его границы изучены недостаточно. Полупроводниковый элемент имеет такие значения эквивалентного импеданса на ОВ Ч, что его трудно согласовать с характеристическим сопротивлением линии передачи, аналогично, например, терморезистору. Поэтому метод чаще применяют для измерения проходящей мощности. Полупроводниковые элементы вдоль линии передачи располагают при этом подобно термоэлементам, что было рассмотрено в § 6.4. Если же полупроводниковый элемент использовать в сочетании - с поглощающей нагрузкой, то возможно построение ваттметра поглощаемой мощности. [44]
Для линейного объекта мы просто присвоить ему значение импеданса, непреодолимое в рамках решаемой задачи. На Рисунке 8.6 Ьячейкам барьера приписано значение импеданса 1000, которое считается непреодолимым, и, следовательно делает барьер абсолютным. В других случаях этого значения может оказаться недостаточно, поэтому вы должны сами решать, какое значение использовать для вашей конкретной задачи. [45]