Идеальный вентиль

Cтраница 3

Все соотношения приведены для идеальных вентилей. [31]

Какой вид имеет характеристика идеального вентиля и чем отличается от нее характеристика реального вентиля. [32]

Схема образования потенциального барьера.| Схема условий на переходе р-п при прямом и обратном соединении. [33]

Ламповый диод - кенотрон является идеальным вентилем, так как его сопротивление току обратного направления практически равно бесконечности. Но у полупроводникового диода обратное сопротивление - величина конечная. [34]

Это объясняется тем, что для идеального вентиля сопротивление в прямом направлении тока принимают равным нулю и бесконечности для обратного направления. [35]

Вольт-амперные характеристики идеального ( 1, ионного ( 2, полупроводникового ( 3 и вакуумного ( 4 вентилей. [36]

На рис. 5.1 показана вольт-амперная характеристика идеального вентиля ( кривая /), у которого при прохождении тока в прямом направлении внутреннее сопротивление равно нулю, а при прохождении тока в обратном направлении - бесконечности. [37]

Формулы табл. 5.1 были выведены для идеальных вентилей и трансформатора. [38]

На рис. 22 - 2 приведена характеристика идеального вентиля, там же показано условное изображение вентиля - полупроводникового диода. [39]

На рис. 8 - 2 приведена характеристика идеального вентиля, там же показано условное изображение вентиля-полупроводникового диода. У идеального вентиля падение напряжения в прямом направлении ыпр и ток в обратном направлении 1 обр равны нулю; или иначе: прямое сопротивление гпр и межэлектродная емкость равны нулю, а обратное сопротивление Лбр-бесконечности. [40]

Балластное сопротивление 62 на тормозной стороне при идеальных вентилях необходимо для того, чтобы вентили тормозной стороны не шунтировали нуль-индикатор. Действительно, если суммарное сопротивление Zi 61 меньше чем Z2 R62, то при закороченном нуль-индикаторе ток с рабочей стороны может быть больше, чем тормозной, при ЕгЕ2 и по цепи, закорачивающей нуль-индикатор, потечет разность этих токов. [41]

Магнитный усилитель с внутренней обратной связью и транзисторами в качестве выпрямителей. [42]

Как видим, характеристика транзистора приближается к характеристике идеального вентиля. [43]

Вольт-амперная характеристика р-п перехода при одинаковом масштабе токов и напряжений для прямого и обратного направлений ( а и различном масштабе ( б, кривая 1 и ВАХ полупроводникового диода ( б, кривая 2. [44]

Характеристика рис. 1.3, а практически соответствует характеристике идеального вентиля, у которого имеют место нулевое падение напряжения при протекании прямого тока и нулевой ток при приложении обратного напряжения. Следовательно, свойства р-п перехода близки к свойствам идеального вентиля. [45]

Страницы: 1 2 3 4