Расчет - усилительный каскад - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Когда ты сделал что-то, чего до тебя не делал никто, люди не в состоянии оценить, насколько трудно это было. Законы Мерфи (еще...)

Расчет - усилительный каскад

Cтраница 3


Таким образом, обе указанные схемы с точки зрения конечных результатов расчета усилительного каскада являются равноценными. Дальнейшее изложение расчетных соотношений для типовых усилительных каскадов проводится применительно к П - образной эквивалентной схеме транзистора ОЭ.  [31]

Параметры транзисторов, работающих в режиме малого сигнала, используют при расчетах усилительных каскадов, амплитуда.  [32]

33 Характеристики транзистора П211 в ние ВХОДНОГО напряжения схеме с общим эмиттером при Г50 С ( или температуры транзистора может повлечь. [33]

Такое построение, несмотря на отмеченный выше недостаток, удобно для унификации расчетов усилительных каскадов, выполненных на электронных лампах и транзисторах. На рис. 2.5 в качестве примера приведены характеристики транзистора П201, построенные в этой си-сгеме координат.  [34]

Для того чтобы изучающие курс Электронные усилители приобрели практические навыки и освоили методику расчетов усилительных каскадов.  [35]

Коэффициент потерь в этом случае отличается от коэффициента потерь, использовавшегося в уравнениях для расчета усилительных каскадов: в него включены цотери, связанные с выходом излучения из резонатора ( так называемые полезные потери), и потери, определяемые коэффициентами отражения зеркал или добротностью резонатора.  [36]

Эти и подобные им формулы для других схем включения транзистора с некоторыми упрощениями ( если они допустимы) используются при расчете усилительных каскадов.  [37]

Приведенные в приложениях семейства статических анодных характеристик некоторых ламп позволяют произвести расчет усилительного каскада и выбрать режим лампы при любом напряжении источника питания и сопротивлении нагрузки. При расчете усилительного каскада следует пользоваться описанным ниже графическим приемом, позволяющим сравнительно быстро и точно определить необходимое постоянное смещение на сетке лампы, выходную мощность каскада, оптимальную величину анодной нагрузки, обеспечивающую получение максимальной выходной мощности и другие величины и параметры, характеризующие схему.  [38]

Существенной переработке подвергся также материал, посвященный усилителям на электронных лампах. Приведены новые примеры расчетов усилительных каскадов. Некоторые примеры заимствованы из предыдущего издания, поэтому в них фигурируют иногда старые типы ламп. Это обстоятельство, однако, по мнению автора, ке имеет решающего значения, так как оно влечет за собой лишь количественные различия и не влияет на методику расчетов, которую призваны иллюстрировать приведенные примеры.  [39]

Существует большое количество типов выходных, входных, сквозных, проходных динамических характеристик. При анализе и расчетах усилительных каскадов обычно используют лишь выходные и сквозные динамические характеристики.  [40]

Существуют различные типы выходных, входных, проходных и сквозных динамических характеристик. При анализе и расчетах усилительных каскадов обычно используют лишь выходные и сквозные динамические характеристики.  [41]

Свойства усилительного каскада переменного тока характеризуются коэффициентами усиления по току, напряжению и м ощности, а также величинами входного и выходного сопротивлений. Определение этих параметров является обычно целью расчета усилительного каскада.  [42]

Полевой транзистор усиливает сигналы также при трех способах включения: с общим истоком, общим затвором и общим стоком, а характеристики полевых транзисторов очень сходны с характеристиками экранированных ламп ( см. стр. Поэтому основными параметрами, используемыми лри расчете усилительного каскада с полевым транзистором, являются: статическая крутизна характеристики тока стока по напряжению между затвором и истоком S и междуэлектродные емкости затвор-исток Сзи, затвор-сток Сзс и сток-исток Сси.  [43]

44 Схемы включения биполярного транзистора. и - с общей базой. б - с обшим эмиттером. в - с общим коллектором. [44]

При анализе простейших усилительных каскадов любая система параметров, определяющая свойства транзистора в выбранной рабочей точке на линейном участке ВАХ, дает примерно одинаковые результаты. Однако целесообразно использовать ту систему параметров, которая упрощает анализ, так как при расчете более сложных усилительных каскадов и в целом усилительных устройств простой анализ всегда дает определенный выигрыш по многим показателям. В связи с этим возникает необходимость перехода от одной системы параметров к другой.  [45]



Страницы:      1    2    3    4