Расчет - распределение - потенциал
Cтраница 2
Наиболее простой процедурой расчета распределения потенциала ( или другой искомой функции) по узловым точкам сетки является работа шаг за шагом. Ее потенциал увеличивается или уменьшается ( смотря по знаку остатка) на величину, равную Д этого остатка с округлением до ближайшего целого числа. Оперирование с дробями в начальной стадии расчета не имеет практического смысла. При этом возрастут остатки в соседних точках на величину произведенного изменения потенциала. [16]
Наиболее простой процедурой расчета распределения потенциала ( или другой искомой функции) по узловым точкам сетки является работа шаг за шагом. Разыскивается точка, имеющая наибольший по абсолютной величине остаток. Ее потенциал увеличивается или уменьшается ( смотря по знаку остатка) на величину, равную А этого остатка, с округлением до ближайшего целого числа. При этом возрастут остатки в соседних точках на величину произведенного изменения потенциала. На рис. 17 - 4 а показан простейший расчетный шаблон для квадратной сетки. [17]
 |
Выражения для расчета потенциала точечных или распределенных источников в безграничной среде. [18] |
Метод изображений применяется при расчете распределения потенциала в областях, ограниченных поверхностями простейшей формы ( например, плоскими, цилиндрическими и сферическими), на которых выполняются граничные условия, указанные в табл. 1.8. Он позволяет свести расчет коррозионного или защитного потенциала и тока к определению потенциала точечных или распределенных источников тока, расположенных в безграничной однородной среде. [19]
Метод малых параметров позволяет свести расчет распределения потенциала при граничных условиях (1.25) к последовательному решению задач с более простыми граничными условиями. [21]
Определение эквивалентного удельного сопротивления земли для расчета распределения потенциала в зоне растекания тока с контурного заземлителя при вертикальной неоднородности земли рассмотрено ниже. [22]
Для эффективной работы этой системы разработаны методика расчета распределения потенциала на протяженных морских сооружениях и схемы размещения анодов и их подключения к источнику тока. Защита от коррозии глубоководных стационарных платформ в ее подводной зоне по неокрашенной поверхности требует большого расхода катодного тока и анодов. Эти затраты снижаются при сочетании катодной поляризации с водостойкими лакокрасочными покрытиями, нанесенными по цинконаполненной грунтовке. При этом катодный ток распространяется также из подводной зоны в зону периодического смачивания и обеспечивает долговременную защиту. При цинконаполненной грунтовке на стали поддержание защитного потенциала обеспечивается при плотностях тока, равных 0 00015 и 0 0002 А / м2, при этом происходит равномерное распределение потенциалов и тока по защищаемому объекту, а также увеличение зоны действия анодов. [23]
 |
И. Расчет распределения потенциала в окрестностях стыка двух цилиндрических проводников разных радиусов. [24] |
На рис. 18 - 11 представлен пример расчета распределения потенциала поля электрического тока в диаметральной плоскости цилидри-ческого проводника, радиус которого внезапно изменяется. [25]
На рис. 17 - 12 представлен пример расчета распределения потенциала поля электрического тока в диаметральной плоскости цилиндрического проводника, радиус которого внезапно изменяется. Расчет проведен в условных единицах потенциала, величина которого принята равной 100 в поперечном сечении широкой части проводника, отстоящем от места иррегулярности на расстояние, равное радиусу. [26]
 |
Подбор формы анода осе - [ IMAGE ] Разрез магнетронной пушки симметричной пушки. [27] |
Решение внешней задачи сводится к нахождению решения двумерного уравнения Лапласа с граничными условиями, получаемыми из (4.17) путем расчета распределения потенциала вдоль границы пучка. [28]
Вывод соответствующих уравнений аналогичен уже рассмотренному выше и отличается лишь тем, что слой пространственного заряда в приповерхностных слоях Я0 и Кх принимается во внимание при расчете распределения потенциала и его влияния на диффузию дефектов через пленку. [29]
Вывод соответствующих уравнений аналогичен уже рассмотренному выше и отличается лишь тем, что слой пространственного заряда в поверхностных областях пленки, которым можно пренебречь при изучении толстых пленок, теперь занимает значительную долю толщины пленки. Это необходимо принимать во внимание при расчете распределения потенциала и его влияния на диффузию дефектов через пленку. Кроме того, изменение кинетических закономерностей вследствие изменения глубины слоя пространственного заряда может происходить при достижении критической толщины пленки. При изучении роста очень тонких пленок необходимо принимать во внимание возможность ограничения скорости роста процессами переноса по поверхности пленки, а не переносом через пленку. [30]
Страницы: 1 2 3