Cтраница 3
Расчет схем в условиях значительного разброса параметров транзисторов, вообще, представляет собой сложную задачу. При этом анализируют разброс эксплуатационных параметров схемы, вызванный разбросом параметров транзисторов. [31]
Изменение коэффициента усиления по току транзистора МП40 во время испытаний. [32] |
Расчет схем на диодах и транзисторах следует проводить с учетом возможных значительных изменений величин параметров, о которых говорилось ранее. Основные принципы схемотехники, которые приходится применять, это: а) выбор структуры схемы, выходные параметры которой определялись бы наименьшим числом стабильных, гарантируемых ТУ или контролируемых в производстве параметров приборов; б) обеспечение стабильности рабочего режима приборов; в) применение глубоких отрицательных обратных связей. [33]
Расчет схем с операционными усилителями, когда необходимо учесть конечное ( не бесконечное) значение k и конечное значение входных сопротивлений, производят обычно методом узловых потенциалов. [34]
Расчет схем с дополнительной симметрией по существу не отличается от расчета схем обычного двухтактного усилителя мощнос. [36]
Расчет схем со стабилитронами и нагрузкой, соединенной параллельно с лампой. Если соблюдать определенную последовательность, то расчет указанных схем с учетом наиболее неблагоприятного сочетания допусков может быть сделан менее трудоемким. [37]
Расчет схемы рис. 5 ( с учетом приведенных выше замечаний) может быть произведен по известному методу Гриневецкого - Брилинга - Ма-зинга [3, 4, 6] для всех участков, за исключением линии сгорания. [38]
Нелинейная эмиттерная нагрузка в двухстабильной схеме на двух кристаллических триодах.| Схема управления входным импульсом в двухстабильной цепи на двух кристаллических триодах. [39] |
Расчет схемы представляет компромисс между выбором величин чувствительности и надежности работы. [40]
Расчет схем на мощных транзисторах обычно выполняется непосредственно по характеристикам, вследствие чего измерения / г-параметров для них часто не производят. [41]
Расчет схем на полупроводниковых триодах ( транзисторах) при относительно низких частотах на практике часто производят не с помощью рассмотренных схем замещения, при использовании которых необходимо знать R3, R5, RK и Rm а путем непосредственного использования семейства характеристик триода. [42]
Расчет схемы выполним методом контурных токов. [43]
Расчет схем с фотодатчиками сводится к расчету оптической системы и определению требуемого усиления электронного усилителя выходного сигнала по величине светового потока и паспортной чувствительности фотоэлемента. [44]
Расчет схемы рис. 3.100 начинается с контура, настраиваемого на наибольшую частоту. [45]