Расчет - ламповая схема
Cтраница 1
Расчет ламповых схем УПТ во многом напоминает расчет обычных резистивных каскадов. Каждый из этих параметров имеет размерность проводимости и наиболее просто определяется графическим путем в семействах входных и выходных характеристик транзистора. [1]
 |
Анодно-сеточ-ные характеристики пентода.| Семейство анодных характеристик пентода 6Ж4П. [2] |
Для расчета ламповых схем на пентодах обычно пользуются анодными характеристиками, так как сеточные характеристики, снятые при различных значениях напряжения на аноде, практически совпадают. При анодном напряжении, равном нулю, электрическое поле анода отсутствует, а между сетками С2 и С3 имеется тормозящее электрическое поле. При этом они не могут достигнуть анода и возвращаются на экранирующую сетку. [3]
Для упрощения расчетов ламповых схем обычно применяют идеализацию реальных ламповых характеристик. [4]
В ряде случаев с целью формального использования методов расчета ламповых схем пользуются выходными характеристиками, в которых в качестве параметра выбирается напряжение Ua. Эти характеристики имеют больший наклон, величина которого возрастает с ростом Ua. Влияние температуры на ход характеристик, снятых при U3 const, проявляется более редко. [5]
На низких частотах расчет режима генератора ( как и усилителя) проводится аналогично расчету ламповых схем. [6]
Большое сходство характеристик для схемы с заземленным эмиттером с характеристиками электронных ламп позволяет в некоторых случаях использовать методы расчета ламповых схем для расчета устройств на полупроводниковых триодах. Ниже дается связь между ламповыми и ( / - параметрами триода. [7]
 |
Изменение распределения концентрации электронов в базе при изменении UQ ( а и при изменении к ( б. [8] |
Приведенные на рис. 11.22 эквивалентные схемы существенно отличаются от эквивалентной схемы электронной лампы, что не позволяет применять единую методику расчета транзисторных и ламповых схем. [9]
Для расчета ламповых схем часто наряду с параметрами электронной лампы в той или иной точке необходимо знать ее сеточную или анодную характеристику на достаточно большом участке. Экспериментальное получение таких характеристик не представляет трудностей, но для расчетов требуется их аналитическое выражение. [10]
Как было показано в главе 2, свойства кристаллического триода достаточно хорошо отображаются статическими характеристиками и параметрами для схемы с общим эмиттером. Эти характеристики и параметры в равной степени пригодны для расчета и анализа работы кристаллического триода во всех трех схемах включения. Это соответствует тому положению практики расчетов ламповых схем, когда анализ и расчет всех видов усилительных схем производится с помощью характеристик и параметров схемы с заземленным катодом. [11]
Семейство вольт-амперных характеристик стока, рассмотренных выше ( рис. 1 - 27), очень похоже на семейство вольт-амперных характеристик вакуумного пентода и имеет две области. Одна из них, в которой наблюдается насыщение тока, носит название пентодной области, в ней происходит линейное усиление малых сигналов; другая - области омического сопротивления. Пентодная область простирается от напряжения отсечки до напряжения пробоя сток - исток; область омического сопротивления - от нуля до напряжения отсечки. Близкая аналогия вольт-амперных характеристик полевых транзисторов и ламп позволяет заключить, что основные схемы с полевыми транзисторами с точки зрения их анализа и расчета должны мало чем отличаться от анализа и расчета обычных ламповых схем. [12]
Страницы: 1