Расчет - транзисторная схема
Cтраница 1
Расчет транзисторных схем обычно производится по средним значениям параметров транзистора, величины которых приводятся в справочниках. Вследствие несовершенства технологии, неидентичности условий при производстве параметры транзисторов имеют значительный разброс от образца к образцу. Разброс, а также изменение параметров транзисторов во времени уменьшают точность расчета схем и изменяют их качественные показатели. [1]
Основой расчета транзисторных схем является модель активного элемента - транзистора. Стремление автоматизировать процесс расчета порождает целый ряд модификаций существующих моделей. Появление их связано, с одной стороны, с желанием упростить модель для того, чтобы ее было легче использовать при расчете сложных схем, а с другой - ввести учет дополнительного числа факторов, повышающих точность расчета. [2]
Для расчета транзисторных схем иногда применяют выходные характеристики, снятые при постоянном напряжении базы. Они отличаются от рассмотренных характеристик, снимаемых при постоянном токе базы, большей неравномерностью расстояний по вертикали между соседними характеристиками, обусловленной экспоненциальной зависимостью между напряжением и током базы. [3]
При расчете транзисторных схем, работающих в ключевом режиме, обычно используются следующие параметры: а - статический коэффициент усиления по току при включении транзистора по схеме с общей базой: Р а / ( 1 - а) - статический коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером; а, и Рг аг / ( 1 - О - коэффициенты усиления по току при инверсном включении транзистора, когда коллектор и эмиттер меняются местами. Уэб обр max мало отличается от URQ Обр max, У дрейфовых ( диффузионных) транзисторов предельно допустимое напряжение эмиттерного перехода не превышает 3 В); и1 э Обр та - - максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при коротком замыкании базы с эмиттером или при включении между базой и эмиттером резистора R ( j ( этот параметр используется в расчетах транзисторного ключа при отсутствии запирающего смещения); Рктах - максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе. В случае рассеивания большой мощности, следует учитывать тепловые параметры, к которым относятся тепловое сопротивление и максимально допустимые температуры корпуса и р - п переходов полупроводниковых приборов. [4]
При расчете транзисторных схем требуемая величина S выбирается, исходя из рабочего диапазона температур, в пределах которого должно работать данное транзисторное устройство. [5]
При расчете транзисторной схемы пользуются обычно укороченной матрицей. Составление ее выполняется следующим образом. Узлам схемы присваиваются порядковые номера, при этом целесообразно входному узлу присвоить номер 1, выходному 2, а за нулевой узел ( не входящий в матрицу) принять общую точку ( землю) схемы. Вычерчивается таблица ( матрица) схемы с порядковым обозначением строк и столбцов. В диагонали матрицы с одноименными номерами столбцов и строк вписывается сумма проводимостей, сходящихся в узле, номер которого соответствует номеру клетки. [6]
 |
Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой. [7] |
При расчетах транзисторных схем используют следующие основные параметры. [8]
Для анализа и расчета транзисторных схем при малом сигнале наряду с представлением в виде эквивалентного четырехполюсника широко применяются эквивалентные схемы, при употреблении которых расчет можно проводить, пользуясь законами Кирхгофа, уравнениями контурных токов или узловых напряжений, а также другими методами теории линейных цепей. [9]
Использование гибридных параметров упрощает расчет транзисторных схем. [10]
Статические характеристики используются для расчета транзисторных схем, по ним определяют параметры транзистора в различных режимах. [11]
 |
Структурная ( а и принципиальная ( б схемы включения транзистора с ОК. [12] |
Статические характеристики используются для расчета транзисторных схем, по. В транзисторах токи в цепях эмиттера, базы и коллектора взаимно зависимы, поэтому статические характеристики зависят от схем включения приборов. [13]
Статические характеристики используются для расчета транзисторных схем, по ним определяют параметры транзистора в различных режимах. [14]
В книге изложены основы проектирования и расчета транзисторных схем, применяемых в системах автоматического управления. Рассмотрены методы проектирования и расчета транзисторных усилителей переменного тока для управления двухфазными электродвигателями, в том числе усилителей переменного тока с гальваническими связями и усилителей, охваченных общей отрицательной обратной связью. Изложены общие методы проектирования силовых транзисторных устройств, работающих в режиме переключения, и методы расчета транзисторных триггеров, реле и переключающих реле, используемых в системах управления электродвигателями и электромагнитными механизмами. Методы расчета иллюстрируются большим количеством примеров расчета и практическими схемами. Все разработанные и изложенные методы расчета обеспечивают работу схем без индивидуальной подстройки режимов, в заданном диапазоне температур и без подбора транзисторов. [15]
Страницы: 1 2