Cтраница 1
Расчет выпрямителей ведется таким же образом, как описано в § 4.2, с использованием коэффициентов несимметрии. [1]
Расчет выпрямителя и фильтров производится методами, описанные выше ( ем. Исходными данными для расчета являются напряжения UBx, U п, it / Bcn, токи / ш м / всп. [2]
Определение внутреннего сопротивления RI из статической вольт-амперной характеристики. [3] |
Расчет выпрямителя сводится к выбору схемы и типа вентилей, расчету режима вентилей, определению параметров трансформатора и сглаживающего фильтра. [4]
График коэффициента М. [5] |
Расчет выпрямителей, работающих от источников напряжения прямоугольной формы, имеет свои особенности. [6]
Расчет выпрямителя с фильтром проводится обычным путем. [7]
Расчет выпрямителя сводится к выбору схемы и типа вентилей, расчету режима вентилей, действующих значений токов и напряжений трансформатора и определению параметров сглаживающего фильтра. В тех случаях, когда нельзя подобрать стандартные трансформатор и дроссель фильтра, производится конструктивный расчет этих элементов. [8]
Расчет выпрямителя на полупроводниковых диодах с трансформатором производится по формуляру ( табл. 7 - 5) в следующем порядке. [9]
Расчеты выпрямителей с Несимметричными трансформаторами пока еще не разработаны. Никаких принципиальных затруднений не может возникнуть при определении токов в фазах трансформатора и диапазонов регулирования сварочного тока. Значительно возрастает только объем вычислений. [10]
Расчет выпрямителя производится по задаввдым величинам выпрямленного напряж & аия и тока и иевестиому перемашгому напряжению электросети. [11]
Расчет выпрямителя, работающего на активно-емкостную нагрузку, ведется при наличии ряда допущений. [12]
Расчет выпрямителя ведут в следующем порядке. [13]
Производим расчет выпрямителя, фильтра и трансформатора. [14]
Дается расчет выпрямителя с учетом инерционных свойств диодов. Приводятся формулы для расчета среднего и эффективного значений выпрямленного тока, обратного напряжения и величины потерь в диаде с учетом его инерционных свойств. Полученные формулы подтверждены экспериментальными частотными характеристиками для некоторых типов силовых полупроводниковых диодов. [15]