Расширение - область
Cтраница 3
Такое расширение области адсорбции вызвано несовпадением потенциалов адсорбции, присущих каждой из добавок. [31]
 |
Экспериментальные механические характеристики двигателя АК61 - 4 при регулировании сопротивления в роторе импульсным методом. [32] |
Для расширения области регулирования как в двигательном режиме, так и в режиме динамического торможения необходимо увеличивать величину сопротивления Ri. Однако при этом возрастает напряжение на элементах схемы коммутации, в связи с чем максимальная величина Ri ограничивается допустимым напряжением тиристоров. [33]
Для расширения области эксперимента учащимся необходимо давать для изучения микроструктуры образцы, изготовленные из ферритного, фер-рито-перлитного и перлитного серых чугунов. [34]
Для расширения области частот, на которых конструкция эффективно поглощает звук, в систему следует внести затухание. [36]
 |
Структурная схема измерения нагрузки фирмы Shimadzu.| Функциональная схема регистратора фирмы Shimadzu. [37] |
Для расширения области измеряемых величин использовано предварительное усиление сигналов от датчиков. [38]
Для расширения области рабочих частот транзистор должен иметь малую ширину базовой области, малое сопротивление базы и малую емкость коллекторного перехода. [39]
Для расширения области контролируемых объектов применяют сильноточные импульсные рентгеновские аппараты Торнадо 100 / 240, ПИР-600, ПИР-1200. [40]
Для расширения области кристаллизации феррограната в системе РЬО - PbF2 - Fe203 - Y2O3 отношение РЬО: PbF2 должно быть намного меньше единицы. Однако увеличение содержания PbF2 приводит к интенсивному испарению раствора-расплава, вследствие чего в процессе кристаллизации неконтролируемым образом изменяется растворимость и смещаются границы области кристаллизации феррограната. [41]
 |
Принцип работы инвертора на полупроводниковом транзисторе.| Схема инвертора с обратным смещением на базе транзистора. [42] |
Для расширения области устойчивой работы транзисторной переключающей схемы в закрытом состоянии необходимо, чтобы через базу транзистора протекал ток противоположной полярности, превышающий начальный ток закрытого коллекторного перехода при максимальной рабочей температуре. Реализация этих условий возможна в инверторе с обратным смещением на базе транзистора. [43]
 |
Функциональная схема регистратора фирмы Shimadzu.| Структурная схема измерения нагрузки фирмы Shimadzu. [44] |
Для расширения области измеряемых величин использовано предварительное усиление сигналов от датчиков. [45]
Страницы: 1 2 3 4