Значение - прямое напряжение
Cтраница 2
Характеристики / пр ф ( fnp) соответствуют включению диода в прямом направлении, а характеристики / обр Р ( обр) - в обрат-нон направлении. Увеличение температуры диода сопровождается ростом величины прямого и обратного токов. Величина прямого тока ( участок ОА) сильно зависит от значения приложенного прямого напряжения. Ток резко возрастает с увеличением напряжения. [16]
Вольт-фарадные характеристики элементов, не подвергавшихся термообработке, представленные в виде зависимости С-2 от У, обычно имеют форму прямых линий, что свидетельствует о наличии резкого гетероперехода. Область плавного изменения величины С-2 простирается от высоких обратных напряжений смещения до значений прямого напряжения, составляющих несколько десятых долей вольта. При дальнейшем повышении напряжения, приложенного в прямом направлении, наклон кривой резко увеличивается и происходит ее пересечение с осью абсцисс. [17]
Основной особенностью вольт-амперной характеристики туннельного диода является то, что при подаче прямого напряжения, превышающего l / д, прямой туннельный ток начинает резко убывать до некоторого минимального значения / min. Увеличение прямого напряжения, с одной стороны, приводит к увеличению туннельного тока, а с другой - уменьшает напряженность электрического поля в P - jV - переходе, поэтому при некотором значении прямого напряжения UB, когда напряженность электрического поля в P - jV - переходе резко снижается, туннельный ток прекращается и P - jV - переход приобретает обычные свойства, связанные с прохождением через него диффузионного тока, как это показано на рис. 18, б, совмещением двух характеристик. После напряжения UB участок характеристики / туннельного диода, соответствующий полному току P - jV - перехода, совпадает с характеристикой 2 диффузионного тока обычного диода. [18]
При прямом напряжении р-п переход, кроме барьерной емкости, обладает так называемой диффузионной емкостью СДИф. Эта емкость обусловлена накоплением подвижных носителей заряда в л - и - областях. Как было показано выше ( параграф 3.3), при прямом напряжении в результате инжекции основные носители заряда в большом количестве диффундируют через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в п - и / - областях. Каждому значению прямого напряжения f / np соответствует определенная величина заряда 2ДИф, накопленного в области р-п перехода. [19]
Основная особенность вольт-амперной характеристики п - - перехода с туннельным эффектом состоит в том, что при подаче прямого напряжения, превышающего Ut, прямой туннельный ток начинает резко убывать до некоторого минимального значения / мип. Увеличение прямого напряжения, с одной стороны, приводит к увеличению туннельного тока, а с другой - уменьшает нанр-яженность электрического поля в р - - переходе. Поэтому при некотором значении прямого напряжения U2, когда напряженность электрического поля в р - я-переходе резко снижается, туннельный ток прекращается, ар - - переход приобретает обычные свойства, связанные с прохождением через него диффузионного тока ( на ряс. [20]
 |
Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения 6 I. [21] |
При прямом напряжении диод кроме барьерной емкости обладает так называемой диффузионной емкостью Сдиф, которая также нелинейна и возрастает при увеличении мпр. Диффузионная емкость характеризует накопление подвижных носителей заряда в и - и р-областях при прямом напряжении на переходе. Она практически существует только при прямом напряжении, когда носители заряда в большом количестве диффундируют ( инжектируют) через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в я - и р-областях. Так, например, если в некотором диоде р-область является эмиттером, а n - область - базой, то при подаче прямого напряжения из р-области в n - область через переход устремляется большое число дырок и, следовательно, в и-области появляется положительный заряд. Одновременно под действием источника прямого напряжения из провода внешней цепи в n - область входят электроны и в этой области возникает отрицательный заряд. Дырки и электроны в n - области не могут мгновенно рекомбинировать. Поэтому каждому значению прямого напряжения соответствуют определенные значения двух равных разноименных зарядов бдиф и - бдиф, накопленных в n - области за счет диффузии носителей через переход. [22]
Страницы: 1 2