Значение - напряженность
Cтраница 1
Значение напряженности в точке / ( рис. 1 - 1) соответствует некоторой пороговой напряженности поля, начиная с которой в магнитном материале происходят необратимые процессы перемагничи-вания. Эта напряженность, называемая полем трогания Ят, определяет помехозащищенность накопительных, переключающих и запоминающих магнитно-полупроводниковых элементов. [1]
Значение напряженности Як внешнего магнитного поля, которое необходимо приложить к образцу для полного его размагни-чения, называют коэрцитивной силой. [2]
Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных досителей. [3]
Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных носителей. [4]
Значение напряженности электростатического поля у поверхности заряженного проводника обратно пропорционально квадрату радиуса кривизны поверхности. [5]
Значение напряженности электростатического поля у поверхности заряженного проводника обратно пропорционально - квадрату радиуса кривизны поверхности. [6]
 |
Вольт-кулоновые характеристики конденсаторов. [7] |
Значение напряженности электрического поля, при котором начинается пробой диэлектрика ( разрушение его действием сильного электрического поля), называют пробивной напряженностью или электрической прочностью. [8]
Значение напряженности электрического поля, при котором начинается пробой диэлектрика, называется пробивным градиентом, или электрической прочностью диэлектрика. [9]
Значение напряженности электрического поля, при котором происходит пробой, зависит от физических свойств материала изоляции, ее размеров, температуры, влажности, длительности и характера приложенного напряжения. Практически пробой в диэлектрике происходит в каком-либо одном наиболее слабом месте. [10]
 |
Распределение концентрации примесей и электрического поля в базе транзистора, изготовленного методом диффузии. [11] |
Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных носителей. [12]
 |
Распределение концентрации примесей и электрического поля в базе транзистора, изготовленного методом диффузии. [13] |
Значение напряженности электрического поля в базе транзистора при отсутствии токов может быть определено из выражения для тока основных носителей. [14]
 |
Точки измерения наяр электрических пшкй. [15] |
Страницы: 1 2 3 4