Cтраница 4
Статические характеристики идеального магнитного усилителя. [46] |
Яу, где Яср - среднее ( за половину периода) - значение напряженности магнитного поля от тока нагрузки. Максимально возможное значение тока имеет место при амс0, когда постоянно насыщены оба сердечника сразу. В этом случае равенство (22.17) теряет свою силу. [47]
Статические характеристики идеального магнитного усилителя. [48] |
ЯерЯу, где Яср - среднее ( за половину периода) - значение напряженности магнитного поля от тока нагрузки. Полученное равенство представляет собой основное уравнение идеального магнитного усилителя и по нему строится статическая характеристика Iaf ( I. Максимально возможное значение тока имеет место при анас0, когда постоянно насыщены оба сердечника сразу. В этом случае равенство (22.17) теряет свою силу. [49]
Кривая намагничивания ферромагнит ного материала. [50] |
Затем, пользуясь найденными величинами магнитной индукции BI, определяют соответствующие им значения напряженности магнитного поля HI на тех же участках магнитопровода. [51]
Напомним, что в макроскопической электродинамике среднее по физически бесконечно малым объемам) значение напряженности магнитного поля называется магнитной индукцией и обозначается как В. [52]
Обобщенная схема вихретокового контроля с помощью накладного ВТП. [53] |
Величина б соответствует затуханию напряженности магнитного поля в е раз по сравнению со значением напряженности магнитного поля на поверхности объекта. Формула ( 1) дает завышенное значение глубины проникновения, которое тем ближе к реальному, чем больше обобщенный параметр Р R / cofAa0, где R - радиус возбуждающей обмотки ВТП. [54]
Обобщенная схема вихретокового контроля с помощью накладного ВТП. [55] |
Величина б соответствует затуханию напряженности магнитного поля в е раз по сравнению со значением напряженности магнитного поля на поверхности объекта. [56]
Величина 5 соответствует затуханию напряженности магнитного поля в е раз по сравнению со значением напряженности магнитного поля на поверхности объекта. [57]
Обобщенная схема вихретокового контроля с помощью накладного ВТП. [58] |
Величина 8 соответствует затуханию напряженности магнитного поля в е раз по сравнению со значением напряженности магнитного поля на поверхности объекта. [59]
Напомним, что в макроскопической электродинамике среднее ( по физически бесконечно малым объемам) значение напряженности магнитного поля называется магнитной индукцией и обозначается как В. [60]