Расщепление - спектр
Cтраница 4
Наиболее важен тот факт, что спектр ЭПР имеет сверхтопкую структуру. Сверхтонкая структура-это расщепление спектра на ряд линий с центром в том месте, где наблюдается простой резонанс, который мы обсудим в дальнейшем. Эта структура ( типа, показанного на рис. 19.3) является следствием наличия ядерных магнитных моментов. [46]
Наиболее важен тот факт, что спектр ЭПР имеет сверхтонкую структуру. Сверхтонкая структура - это расщепление спектра на ряд линий с центром в том месте, где наблюдается простой резонанс, который мы обсудим в дальнейшем. Эта структура ( типа, показанного на рис. 19.3) является следствием наличия ядерных магнитных моментов. [47]
Кроме смещения максимума влияние растворителя сказывается также в изменении характера самого спектра. Из рис. 48 характеризующего влияние растворителя на спектры поглощения атомов ртути, следует значительное изменение, расщепление и искажение спектра под влиянием растворителей. Это расщепление и смещение полосы в спектре, почти незаметное в гексане, увеличивается при переходе к растворителям с более полярными молекулами-к метиловому спирту и воде. Причиной смещения и расщепления спектра является образование соединения между атомом ртути и молекулами растворителя. [48]
 |
Длины волн, соответствующие максимуму поглощения света катионами. [49] |
Кроме смещения максимума влияние растворителя сказывается также в изменении характера самого спектра. Из рис. 45, характеризующего влияние растворителя на спектры поглощения атомов ртути, следует значительное изменение, расщепление и искажение спектра под влиянием растворителей. Это расщепление и смещение полосы в спектре, почти незаметное в гексане, увеличивается при переходе к растворителям с более полярными молекулами - к метиловому спирту и воде. Причиной смещения и расщепления спектра является образование соединения между атомом ртути и молекулами растворителя. [50]
Значения КПД, полученные в экспериментах с элементами на основе GaAs - Si и оптическим фильтром, имеющим пороговую длину волны 0 73 мкм, при коэффициентах концентрации 340 и 800 близки к расчетным. Очевидно, что система элементов на основе GaAs - Si не превосходит по КПД единичные элементы из GaAs. Авторы отмечают, что необходимыми условиями для успешного применения преобразователей такого типа являются оптимальное расщепление спектра и высокая эффективность оптических фильтров. При осуществлении спектрального расщепления в каждом из элементов протекает меньший фототок, величина которого при грубой оценке пропорциональна потоку фотонов в отдельных световых пучках. Вследствие этого при высоких концентрациях излучения потери мощности на последовательном сопротивлении значительно уменьшаются. [52]
Может быть, эта проверка еще не проведена. Путешествие электрона по многим атомам молекулы доказано бесспорно измерениями магнитной восприимчивости ароматических молекул, доказано тонким расщеплением спектров электронного парамагнитного резонанса, доказано измерениями электропроводности графита и множеством других фактов, составляющих стройную схему современных знаний о структуре вещества. [53]
Страницы: 1 2 3 4