Расщепление - уровни - энергия - атом
Cтраница 1
Расщепление уровней энергии атома на близко располож. [1]
Расщепление уровней энергии атома водорода в электрическом поле оказывается пропорциональным величине приложенного поля. [2]
 |
Реальная крутая жидкая пленка ( а и се термодинамические референтные модели, основанные на представлении о пленке как о мембране нулевой толщины ( 6 и слое жидкой фа ы а конечной толщины Hf ( в. [3] |
Определяет тонкое расщепление уровней энергии атома ( и. Тонкая структура), величина к-рого пропорциональна а2 ( константа получила назв. [4]
Эффектом Штарка называется расщепление уровней энергии атома во внешнем однородном электрическом поле. Это расщепление может быть как линейным по внешнему полю, так и квадратичным в зависимости от характера вырождения уровней энергии в отсутствие внешнего поля. [5]
ШТАРКА ЯВЛЕНИЕ - расщепление уровней энергии атома в достаточно сильном электрич. Может быть непосредственно наблюдаемо в оптич. При наблюдении перпендикулярно полю ( поперечный эффект) часть компонент расщепленной спектральной линии поляризуется продольно, а другая часть - перпендикулярно полю. При наблюдении вдоль поля часть компонент исчезает ( поляризованные продольно), а остальные оказываются неполяризованными. Величина смещения новых линий, появившихся в результате расщепления, пропорциональна напряженности электрич. [6]
Зеемана эффектом, обусловленным расщеплением уровней энергии атомов и молекул магн. [7]
Во внешнем магнитном поле также наблюдается расщепление уровней энергии атома на близко расположенные подуровни ( сверхтонкая структура), обусловленное взаимодействием магнитного момента ядра с магнитным полем электронов в атоме. [8]
Лапде множитель, определяющий относит, величину зеема-новского расщепления уровней энергии атома. [9]
СВЕРХТОНКАЯ СТРУКТУРА ( сверхтонкое расщепление) уровней энергии - расщепление уровней энергии атома, молекулы или кристалла на неск. [11]
Поскольку к полю ядра данного атома добавляется поле взаимодействия ядер и электронов, то величина расщепления зон отличается от величины расщепления уровней энергии атомов. Опыт и расчет показывают, что, как правило, величина спин-орбитального расщепления зон энергии несколько больше расщепления соответствующих уровней энергии. Однако основные закономерности в изменении величины расщепления зон энергии с ростом заряда ядер атомов кристалла сохраняются. В настоящее время известны величины спин-орбитального расщепления зон энергии многих полупроводников. [12]
 |
Зависимость т / ( Я. [13] |
В атомах и молекулах каждый электрон в процессе своего орбитального и спинового движения создает магнитное поле и характеризуется магнитным моментом ц g - B Vmt ( nii - - 1), где g - множитель Ланде, характеризующий относительную величину зее-мановского расщепления уровней энергии атома; цв - магнетон Бора; mi - магнитное квантовое число. У двух электронов, находящихся на одной орбитали, эти моменты скомпенсированы, поэтому атомы и молекулы, не имеющие неспаренных электронов, не обладают собственными магнитными моментами. [14]
Приводят к расщеплению уровней энергии атомов и малоатомной молекулы на близко расположенные подуровни, число к-рых зависит от спинов ядер и от пина системы электронов. Последняя обусловлена переходами между уровнями, расщепленными пой влиянием спин-орбитального взаимодействия, иногда наз. [15]
Страницы: 1 2