Расщепление - вырожденные уровни
Cтраница 1
Расщепление вырожденных уровней наблюдается в полях различной природы. С химической точки зрения важным случаем является расщепление термов атомов, составляющих молекулу, при воздействии внутримолекулярных электрических и других полей. [1]
Эти методы основаны на использовании расщепления вырожденных уровней энергии молекулы ( или атома) во внешнем поле. [2]
При небольшом отклонении от симметричного полчка расщепление первоначально вырожденных уровней невелико и мы получаем схему уровней энергии, изображенную справа и слева на фиг. Расщепление уровней совершенно аналогично Л - удвоению в двухатомных молекулах и может быть названо удвоением типа К. [3]
В методе ЭПР как раз исследуются расщепления вырожденных уровней мультиплетных состояний молекул, возникающие под влиянием внешнего магнитного поля, и тонкая структура наблюдаемых спектров, связаных с переходами между расщепленными компонентами этих уровней. [4]
Ясно, что в этом случае никакого расщепления вырожденных уровней не произойдет. [5]
Возникает вопрос о том, в какой мере может возмущение привести к расщеплению вырожденных уровней. [6]
 |
Схема уровней и линейчатый спектр излучения сильно локализованного квазиатомного центра свечения СаР2 - ТЬ-фосфо-ра. [7] |
Поэтому активатор в основном сохраняет свойства свободного иона, и наблюдаемые спектры интерпретируются на базе принятых в атомной спектроскопии схем энергетических уровней с учетом вызываемого кристаллическим полем расщепления вырожденных уровней и изменения вероятности различных электронных переходов. [8]
Уровни с одним значением v2, но разными значениями /, имеют одинаковую энергию в гармоническом силовом поле. Однако при учете более высоких термов потенциальной функции имеет место небольшое квадратичное расщепление вырожденных уровней. [9]
Энергия конфигурации Cf, состоящей из N C связанных электронов, рассчитывается по энергиям орбиталей. Энергия нулевого приближения центрального поля, описываемая сферически симметричной частью потенциала, не включает взаимодействия моментов, которое содержится в несферической части электростатического взаимодействия и в спин-орбитальном взаимодействии. Для учета этого взаимодействия, которое приводит к расщеплению сильно вырожденных уровней конфигураций на термы, используются различные типы связывания моментов: L - связь, jj - связь и др. При LS - связи термы электронной конфигурации задаются промежуточными квантовыми числами: суммарным орбитальным L и суммарным спиновым S моментами, полным моментом количества движения J и схемой связывания моментов. [11]
Это сопровождается, как следует из рис. 4.11, расщеплением двукратно вырожденных уровней АХ1 - уг и d2 и частичным снятием вырождения уровней йху, dxz и dyz. Bb заполнены парами электронов с противоположными спинами. [12]
Поскольку vg - колебание трижды вырождено, имеется другая возможная причина уширения этой полосы, а именно силы поверхности могут вызвать слабое расщепление вырожденных энергетических уровней. Этот вопрос может быть решен при изучении спектра в широком температурном интервале. С понижением температуры ширина полосы, обусловленная вращательным движением, уменьшается как функция У Г, в то время как ширина полосы, зависящая от расщепления вырожденных уровней, будет возрастать по мере того, как молекула становится более прочно связанной с поверхностью. Из-за экспериментальных трудностей Шеппард, Матье и Йетс [42] изучили влияние температуры на спектр не метана, а бромистого метила. [13]
При изучении диффузии точечных дефектов существует два взаимодополняющих подхода. В первом случае учитывается влияние нарушений кристаллической решетки, а во втором - влияние кристаллической решетки на состояние дефектов. Совокупность элементов симметрии, присущих любой точке кристаллической решетки, образует группу симметрии, которая позволяет упростить решение задачи, если использовать теорию групп. Экспериментальные методы определения симметрии дефекта основаны на определении его анизотропных характеристик путем поляризованного возбуждения, либо с помощью различного рода воздействий, например, механических ( одноосное сжатие), а также магнитными, электрическими, световыми полями. Во всех случаях возбуждения информацию о симметрии дефекта дает расщепление вырожденных уровней. [14]
Поскольку vg - колебание трижды вырождено, имеется другая возможная причина уширения этой полосы, а именно силы поверхности могут вызвать слабое расщепление вырожденных энергетических уровней. Этот вопрос может быть решен при изучении спектра в широком температурном интервале. С понижением температуры ширина полосы, обусловленная вращательным движением, уменьшается как функция У Г, в то время как ширина полосы, зависящая от расщепления вырожденных уровней, будет возрастать по мере того, как молекула становится более прочно связанной с поверхностью. Из-за экспериментальных трудностей Шеппард, Матье и Йетс [42] изучили влияние температуры на спектр не метана, а бромистого метила. Это исключает возможность рассмотрения расщепления вырожденных уровней как причину уширения полосы. Независимо от того, обусловлено ли уширение полосы при комнатной температуре низким энергетическим барьером свободного вращения или увеличением коэффициента экстинкции за счет взаимодействия молекулы с ее окружением, остается в силе тот факт, что экстраполяция этих результатов на систему с метаном позволила согласовать наблюдаемую форму полосы для полностью свободного вращения ( случай III) молекулы метана с рассчитанным контуром. Как отмечают авторы, вопрос о вращательных степенях свободы адсорбированного метана является спорным. [15]
Страницы: 1