Дополнительное расщепление

Cтраница 1

Вторая производная ЭПР-поглощения радикала CF3. Разрешено расщепление второго порядка. [1]

Дополнительное расщепление определяется эффектами второго порядка. [2]

Спектры ЯМР комплексов гидрида бора. [3]

Дополнительное расщепление, обусловленное комплексо-образованием, наблюдается также в спектре гН этого соединения ( рис. III. [4]

ДСТС спектра. [5]

Дополнительное расщепление от аксиального лиганда обычно не наблюдается, ион фтора является исключением. [6]

Отсутствие дополнительного расщепления на ядрах азота гетероцеп-ного мостика в бираднкалах VI служит еще одним доказательством невозможности миграции неспаренного электрона черел систему а а-связеп бирадикала. В бирадикалах VIII и IX электронные спины ведут себя независимо ( триплетные спектры ЭПР), а в бирадикале X, где парамагнитные фрагменты находятся в орто-положениях, спин-спиновое взаимодействие проявляется в спектре ЭПР очень четко. [7]

Зависимость дифракционной эффективности от - времени экспозиции при записи голограмм в LiNbO3 с различными примесями. нижняя кривая для неактивированного кристалла.| Спектры поглощения LiNbO3. / - восстановленного с примесью Fe. 2 - окисленного с примесью Fe. 3 - неактивированного. [8]

В LiNbO3 происходит дополнительное расщепление ( i-уровней, связанное с искаженной формой октаэдров NbO6 в этом соединении. [9]

Следовательно, необходимо дополнительное расщепление газойля для превращения его в бензин, что и делается в последующих ступенях в присутствии достаточного избытка водорода с тем, чтобы образующиеся ненасыщенные соединения могли с достаточной полнотой гидрироваться. [10]

Термодеструктивные процессы вследствие дополнительного расщепления при высоких температурах ( 13 620 С) повышают степень агрессивного воздействия продуктов. [11]

Термодеструктивные процессы вследствие дополнительного расщепления при высоких температурах ( 1Э 620 С) повышают степень агрессивного воздействия продуктов. [12]

Для характеристики этого дополнительного расщепления в полях 6t - лее низкой симметрии требуется введение дополнительных параметров. [13]

Термодеструктивные процессы вследствие дополнительного расщепления при высоких температурах ( 1Э 620 С) повышают степень агрессивного воздействия продуктов. [14]

Максимальная величина такого дополнительного расщепления основной линии должна была бы составлять 3 гс при произвольной ориентации кристалла. Сравнение с расщеплением почти в 30 гс, найденным для радикалов типа РО2 - [ 2, 3J, позволяет предположить, что у радикалов SO. [15]

Страницы: 1 2 3 4