Cтраница 3
Появление этой фазы, а также заметный разброс значений параметров решетки фаз в образцах, содержащих более 50 % Y2O3, является следствием особой чувствительности образцов системы UO2 - Y2O3 к условиям приготовления, и в частности к присутствию в системе кислорода. Было установлено, что уже при комнатной температуре препараты, полученные в вакууме, легко поглощают кислород воздуха до составов, в которых отношение числа атомов кислорода к числу атомов металла становится близким к двум. [31]
Изомофизм может проявляться в сополимерах, если соответствующие мономерные звенья, вводимые в макромолекулу, не изменяют значений параметров кристаллографической решетки. [32]
Использование предложенной методики позволяет вычислять остаточные напряжения, не прибегая к разрушению образца. Уравнение (10.4) дает возможность определять величину макронапряжений при образовании твердого раствора, не обращаясь к эталонному ( табличному) значению параметра решетки материала покрытия найти который обычно довольно сложно. [33]
Методом, разработанным ранее для серы, определена энтальпия ( ДЯ) реакции раскрытия восьмичленного кольца селена. Из измерений вязкости расплавленного селена Халиловьгм257 вычислены средние значения числа атомов селена, входящих в состав полимерной молекулы при 30 - 360 С. Получено значение параметра решетки а, равное 6 04 А. Найдено, что при температурах выше 130 С р-кубическая модификация селена переходит в гексагональную модификацию. [34]
В табл. 10 приведены определенные Шульцем и Каном параметры решеток осадков со структурой NaCl. Эти значения хороню согласуются с данными, полученными при кристаллизации солей на аморфной подложке. По Шуль-цу и Кану, значения параметров решеток метастабильных фаз не зависят от типа применяемой подложки и с точностью их определения являются характеристиками вещества осадка. [35]
Величина параметра решетки также может в некоторых металлах скачкообразно изменяться в зависимости от температуры. Оказывается, в процессе охлаждения затвердевшего металла в нем могут происходить так называемые аллотропические превращения, связанные с перестройкой типа решетки, с перегруппировкой атомов. Каждому типу решетки и каждому значению параметра решетки соответствует определенная модификация данного металла. Например, железо после затвердевания при температуре Г1535 С переходит в а ( §) - модификацию, характеризуемую кубической объемно-центрированной решеткой с параметром а - 2 93 А. [36]
ГЦК ре - Рис - 8 - Элементар-шетку [5, 6] и устойчива при темпера - ная т a WC турах выше 2525 С. В табл. 2 приведены его значения по данным различных работ. Расхождения в значениях параметра решетки весьма велики и превосходят погрешности измерений на существующей аппаратуре. [37]
Ошибка в измерении параметра кристаллической решетки оценена равной 0 001 А. Первая строка относится к стехиометрическому карбиду циркония, вторая - к порошку после эксперимента, проведенного по методу Кнудсена, а в следующих строках образцы расположены в порядке увеличения потерь веса. Образцы 2А и 4А были использованы в опытах по определению скорости испарения. Приведенный состав и значение параметра решетки относятся к образцам, подвергавшимся испарению. [38]
Беван с сотрудниками [1 ] нашли две области несмешиваемости твердых растворов. GdC 5 сосуществуют флюоритовая фаза и фаза со структурой типа С. На рис. 289 представлены значения параметров решеток для нескольких температур. [39]
Изучение влияния давления [43] и влияния бромирования [49] на электропроводность кристаллов ( SN) весьма подкрепляет предположение о том, что в нормальном состоянии основной вклад в электропроводность дают процессы электрон-электронного рассеяния. Под давлением величина а увеличивается более чем на 40 % на 1 кбар, что указывает на чувствительность электрон-дырочных процессов рассеяния к особенностям поверхности Ферми. Из-за хрупкого баланса электронных и дырочных карманов вблизи поверхности Ферми, которая в свою очередь чувствительна к изменению значений постоянных обратной решетки, изменение давления должно сильно влиять на электрон-электронное рассеяние. Однако в случае бромированного ( SN) значение а увеличивается только на 1 3 % на 1 кбар. Такое подавление зависимости электропроводности от давления в бромированном ( SN) X возникает из-за того, что перенос заряда на интеркалированные атомы брома понижает энергию Ферми на величину - 1 эВ, сужая ( или, возможно, уничтожая), таким образом, электронные карманы и уменьшая эффективность электрон-электронного рассеяния. Так, из рис. 5.5.3, можно видеть, что изъятие электронов из цепочек ( SN) сдвигает уровень EF в область, которая вообще не содержит карманов. Как уменьшение плотности электронов, так и изъятие набора уровней энергии, на которые происходит рассеяние, уменьшают эффекты рассеяния. Изменения давления при этом не передвигают поверхность Ферми к какой-либо существенным образом отличающейся конфигурации в отношении процессов рассеяния. Подобная температурная зависимость электропроводности ( типа Т 2) наблюдалась и в соединениях TTF - TCNQ, однако в этом случае объяснение температурной зависимости процессами электрон-электронного рассеяния некорректно, поскольку здесь налицо существенные температурные изменения значений параметров решетки ( см. разд. [40]