Значение - электрический параметр
Cтраница 3
Аппаратура считается выдержавшей испытания на транспортирование, если по окончании испытаний не наблюдается механических повреждений и ослабления креплений, а значения электрических параметров не выходят за пределы норм, заданных ТУ. [31]
Выбор для сверхвысоиоскоростног-о двигателя того или другого исполнения ротора делается прежде всего по условиям прочности, но при этом стремятся обеспечить такие значения электрических параметров, при которых получаются хорошие рабочие и пусковые свойства двигателя. [32]
 |
Устройство несимметричного ( а и симметричного ( б биполярных транзисторов. [33] |
Кроме сплавной и диффузионной технологий при изготовлении биполярных транзисторов применяют планарно-эпитакси-альную технологию, с помощью которой можно получить транзисторы с малыми отклонениями значений электрических параметров. [34]
Выдержавшими испытания считаются приборы, у которых отсутствуют дефекты, вызывающие потерю их работоспособности, внешний вид соответствует требованиям ОТУ и ЧТУ, а значения электрических параметров или их изменения сохранились в пределах норм, установленных в ЧТУ для соответствующего вида испытаний. Кроме того, при испытаниях на влагоустойчивость отбраковывают приборы, у которых наблюдались пробои ( искрения) внутри или по поверхности. [35]
 |
Иллюстрация зависимости отношения т 1т 0 от частоты. [36] |
Кружками отмечены экспериментальные данные, кривые Cj и с2 рассчитаны по формулам ( 48), ( 53) и ( 76) для значений электрических параметров, выписанных в приведенной ниже таблице. [37]
Блоки 06 и Оба предназначены для выполнения одной и той же функции: они генерируют рабочие подпрограммы счета правых частей системы нелинейных алгебраических уравнений, решением которой являются значения электрических параметров схемы в установившемся режиме. Блок 06 работает, когда заданы начальные условия, а блок Оба - когда они отсутствуют. Отличия между этими блоками обусловлены особенностями численных методов решения, используемых в том и другом случае. [38]
При современном уровне технологии не удается получать транзисторы с малым разбросом значений электрических параметров Действующая в настоящее время система отбраковки и классификации транзисторов предусматривает в основном одностороннее ограничение значений электрических параметров, причем по марке транзистора можно судить лишь о наихудших значениях его параметров. Основная же масса транзисторов, как правило, имеет значительно лучшие параметры, чем приведенные в справочных таблицах. Это обстоятелсьтво осложняет взаимозаменяемость транзисторов в схемах, отработанных на случайных экземплярах без учета присущего им разброса параметров. [39]
Чертеж интегральной тонкопленочной микросхемы содержит следующее: топологию с условной маркировкой контактных площадок ( проводников) и с указанием размеров, а также ГОСТов на исходный материал; последовательность нанесения тонкопленочных слоев; параметры пленок, контролируемых в процессе напыления; значения электрических параметров, контролируемых после напыления; технические требования к качеству подложки, к точности совмещения тонкопленочных слоев и контролю элементов. На элемент каждого слоя наносится штриховка, поясняемая на поле чертежа пленочной схемы. [40]
Рассмотрено устройство двух типов кремниевых импульсных диодов КД509А и КД510А, изготавливаемых яа основе дланарно-зпи-таксиальной технологии. Приведены значения электрических параметров этих приборов и зависимости важнейших из них от режимов измерения. Описанные диоды находят применение в быстродействующих схемах переключения значительных по амплитуде импульсов тока. [41]
 |
Разрез структуры МДП-тетрода. [42] |
Особенностью применения транзисторов, изготовленных методом совмещения, является то, что близкое расположение затворов структур и общая подложка накладывают ограничения на величину предельно допустимого напряжения между электродами затворов. Однако значения электрических параметров, характерных для сдвоенных, у этих транзисторов существенно лучше, чем у сдвоенных транзисторов, изготавливаемы. [43]
Общие требования справедливы для всех транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора содержатся в частных технических условиях. [44]
Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических условиях. [45]
Страницы: 1 2 3 4