Транспортная химическая реакция - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Одежда делает человека. Голые люди имеют малое или вообще нулевое влияние на общество. (Марк Твен). Законы Мерфи (еще...)

Транспортная химическая реакция

Cтраница 1


Транспортные химические реакции применяют для очистки веществ, получения монокристаллов металлов и неметаллов, для повышения срока службы ламп накаливания, создания полупроводниковых материалов.  [1]

Транспортные химические реакции используются для очистки металлов, получения металлических порошков, полупроводников, взращивания монокристаллов, нанесения покрытий.  [2]

3 Диаграм -. ма состояния Zn - Se. [3]

Кристаллы ZnSe были выращены методом транспортных химических реакций по режиму: температура в зоне испарения 1050 С, в зоне кристаллизации 800 С.  [4]

5 Ампула для прокаливания люминофора при заданном парциальном давлении легирующей примеси или одного из элементов, образующих основание люминофора. [5]

Описанные здесь условия подобны тем, в которых осуществляется выращивание монокристаллов методом транспортных химических реакций. Однако при отсутствии транспортирующего агента перенос вещества из / части ампулы во / / практически не происходит, тем более, что специальная конструкция ее - малый диаметр перемычки, соединяющей две части ампулы, - содействует уменьшению диффузионного потока.  [6]

7 Схема одного из вариантов установки для выращивания монокристаллов CdS возгонкой порошкообразного сульфида в струе Аг или N2.| К объяснению процесса выращивания монокристаллов методом транспортных химических реакций. [7]

Для выращивания монокристаллов соединений класса AnBVI и некоторых других классов при относительно низкой температуре весьма удобен метод транспортных химических реакций.  [8]

В работе [304] были синтезированы методом транспортных химических реакций ( диффузионный метод) монокристаллы PrSe2, Nd2Se3 и NdSej.  [9]

Редкие металлы наиболее высокой степени чистоты, обладающие хорошей пластичностью, можно получить термическим разложением их иодидов. Процесс, сочетающий образование, а затем термическое разложение иодидов металлов, относится к транспортным химическим реакциям.  [10]

Рассмотрим еще одну часто встречающуюся в последнее время задачу: расчет количества транспортирующего агента, которое должно быть введено в ампулу для выращивания монокристаллов методом транспортной химической реакции и расчет градиента концентраций, обусловливающего перенос вещества.  [11]

В технологии полупроводниковых веществ нередко получение особочистого материала связано с его очисткой и выращиванием монокристалла. Так, в последнее время получившие широкое распространение транспортные химические реакции служат не только одним из способов получения полупроводникового вещества, но и методом его глубокой очистки. А широко известные кристаллизационные методы очистки ( например, зонная плавка) одновременно служат надежным способом выращивания монокристаллов. Отсюда возникает определенная трудность раздельного описания методов получения, очистки и выращивания монокристаллов.  [12]

13 Зависимости скорости роста пленок Si при химическом осаждении из паровой фазы от парциального давления SiH4 при использовании различных газов-носителей ( а. зависимости скорости осаждения пленки Si от температуры подложки при использовании SiH4 ( /, SiH2Cl2 ( 2, SiHCU ( 3 и SiCl4 ( 4 ( б зависимости скорости осаждения GaAs от кристаллографической ориентации подложки при температуре подложки 750 С ( / и 755 С ( 2 ( в. [13]

Поскольку при химическом осаждении из паровой фазы введение примесей в полупроводниковую пленку осуществляется в процессе ее роста, получаемые профили распределения примесей могут иметь любую требуемую форму, которая в данном случае не определяется законами диффузии. При осаждении в замкнутой системе легированных полупроводников и слоев многокомпонентных полупроводниковых сплавов [108, 114] происходят легирование или сплавление материала источника с необходимым примесным веществом и транспортная химическая реакция, в которой участвуют как основной, так и легирующий материалы.  [14]

Ампулы, содержащие приблизительно 5 г материала ( крупностью - 0 096 мм), нагревали при температуре 600 - 1000 С в течение 72 ч и охлаждали на воздухе. При температуре ниже 600 С реакция проходит не полностью, а выше 1000 С начинает реагировать материал ампулы. В этой работе, так же как и в работах [237, 350-352], монокристаллы соединений были приготовлены транспортными химическими реакциями.  [15]



Страницы:      1