Ребро - кристалл
Cтраница 2
Концентрация у ребер кристаллов восстанавливается быстрее, чем на середине грани. Поэтому новый слой должен возникать, как правило, у исходного края грани, что и наблюдается на опыте. Учет концентрационных изменений у поверхности катода приводит к выводу, что сопровождающая процесс кристаллизации поляризация состоит из диффузионных ограничений и перенапряжения. Доля этих слагаемых по различным участкам электрода неодинакова. У места, где только что возник зародыш, концентрационная поляризация минимальна, а перенапряжение максимально. У фронта роста соотношения об-ратны. [16]
Вершины углов и ребер кристаллов являются местами, на которых начинается выделение металла, образующее начало нового слоя на грани кристалла. На углах и гранях ступеней, образованных этим слоем, идет дальнейшее осаждение, ведущее к распространению сдоя на всю поверхность грани. [17]
Метод описания граней и ребер кристалла с помощью индексов и символов был установлен задолго до того, как на опыте была доказана решетчатая структура кристалла. [18]
Для характеристики поверхностной энергии ребер кристалла обычно используется величина работы к, затраченной на образование единицы длины ребра. [19]
 |
Закон постоянства междугранных углов ( разные формы кристаллов гипса одной и той же модификации. [20] |
Например, атом на ребре кристалла удерживается меньшим количеством соседей, а значит слабее, чем атом на грани вдали от ребра. Это вызывает образование пирамидок роста, отклонение от плоскогранности и изменение междугранных углов. [21]
 |
Скорости свободного осаждения различных кристаллов и связь их с округлением вершин. [22] |
Выше отмечалось, что округление ребер кристаллов наиболее четко выражено в концентрированных суспензиях, потому что здесь кристаллы, по-видимому, гораздо чаще соприкасаются друг с другом. В любой кристаллической суспензии скорость жидкости, необходимая для поддержания кристаллов во взвешенном состоянии, одновременно определяет и порозность псев-доожиженного слоя. По мере увеличения скорости слой расширяется, и наоборот. При постоянной скорости циркуляции в аппарате, содержащем кристаллы различного размера, более крупные частицы располагаются под действием силы тяжести в нижней части слоя. Поскольку для их требуется и более высокая скорость псевдоожижения, то они располагаются и ближе друг к другу, увеличивая тем самым вероятность трения друг о друга. [23]
Активность катализатора обеспечивается выступами и ребрами яъчайших кристаллов на поверхности. [24]
Развитие микротрещин всегда начинается на ребре кристалла, где имеет место минимальное сопротивление деформации, причем исходной точкой разрушения может быть мельчайший дефект, часто значительно меньший по размерам по сравнению с рисками, намеренно нанесенными на грани кристалла. [25]
 |
Усложненный вариант роста грани. [26] |
Как уже указывалось, вершины и ребра кристалла находятся в лучших условиях роста, поэтому выступы новых слоев будут образовываться именно здесь. Чем больше размер растущего кристалла, тем выше может оказаться и разница концентраций в различных местах одной и той же грани, а следовательно, тем вероятнее несовершенный рост кристалла и тем больше примесей он захватывает при своем росте. Именно этим несовершенным ростом можно объяснить часто наблюдаемое, особенно в крупных кристаллах, их помутнение за счет включений прослоек маточного раствора, штриховатость и ступенчатость граней. С другой стороны, хорошо известно [170], что внутренне однородные и правильные, с гладкими гранями кристаллы могут быть получены только при сравнительно небольших пересыщениях раствора. [27]
Предполагалось, что это углы, ребра кристаллов, пики на поверхности, выступающие атомы. Однако было обнаружено, что даже огромные по сравнению с отдельными атомами иглы размером 0 8 мкм на поверхности золотого катализатора спекаются при 200 С, в то время как каталитический распад N2O на нем протекает при 2оО - 300 С. В настоящее время считается, что основой стабильных нарушений, искажений кристаллической структуры катализаторов являются не физические, а химические нарушения, примеси. Ими могут служить чужеродные атомы, вн дря1С1Цкеоя в решетку, образующие устойчивые соединения. Иногда активаторами оказываются примеси, являющиеся в больших донах ядами. Завершающим этапом развития этих представлений явилась теория пересыщения, предложенная С. [28]
Ступенька, возникшая у углов или ребер кристалла, перемещается вдоль грани со скоростями, в сотни раз превышающими скорость перемещения грани в перпендикулярном к ней направлении. Присоединение атомов к ступеньке происходит с меньшими энергетическими затратами, чем присоединение их к гладким участкам грани. [29]
Суммирование производится по всем граням и ребрам кристалла. Для функции G в качестве удельной величины вместо gv удобнее использовать мольную величину Цоо, которая представляет собой химический потенциал данного вещества для бесконечно протяженной фазы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5