Регенерация - память
Cтраница 2
Эта ошибка фиксируется, если переполняется внутренний стек, используемый системой. Обычно эта ошибка свидетельствует об излишней рекурсивности определяемых программистом функций. Стек может переполниться также в процессе регенерации памяти. [16]
Сигналы запросов на обслуживание соответствующим каналом ПДП должны быть в состоянии лог. I до тех пор, пока системный ЭМ не выдаст соответствующий сигнал подтверждения захвата СМ каналом ПДП. Запрос DRQO и соответствующий канал ПДП используются внутри системного ЭМ для организации циклов регенерации памяти. Для опе-раиий регенерации используется около 7 % от общей пропускной способности СМ. [17]
 |
Адресное пространство ЭВМ. [18] |
В микро - ЭВМ используется оперативная память различных типов. Память, сохраняющая свое содержимое при выключении питания, называется энергонезависимой, в противном случае она энергозависима. Динамическим ЗУ присущ существенный недостаток: для сохранения содержимого необходимо периодически считывать и записывать элементы памяти, этот процесс называется регенерацией памяти. Типичный период регенерации составляет 2 мс. При работе ЭВМ в линию с экспериментом ( ON LINE) это необходимо учитывать. Тем не менее три достоинства: высокая степень интеграции ( типичная емкость одной БИС, например, К565РУЗ, К565РУ5 составляет 16К и 64К бит), малое потребление энергии ( менее 0 05 мВт / бит по сравнению с 0 2 мВт / бит в статических МОП БИС элементах), малая удельная стоимость бита информации, определяют широкое применение динамических ЗУ в ЭВМ. [19]
Цикл чтения из памяти возможен при сигнале SYNC, фиксирую-щем адрес обращения ADO... Цикл записи в память возможен при сигнале SYNC, фиксирующем адрес обращения ADO... БРА, сигналах MSEL, WTBT, который явля-ется признаком записи, сигнале DOUT, отсутствии очередного цикла регенерации памяти. [20]
Из-за разряда емкости, вызываемого током утечки через pn - переход, необходимо постоянно считывать и записывать элементы динамической памяти; этот процесс называется регенерацией памяти. Скорость разряда увеличивается с ростом температуры, и интервал между регенерацией варьируется от 1 до 100 мс. При t 70 С типичный интервал регенерации составляет 2 мс. Хотя при считывании и записи строка элементов регенерируется, произвольность обращений к памяти не гарантирует регенерации всех слов модуля в течение 2 мс. Систематическая регенерация памяти осуществляется с помощью циклов регенерации памяти. [21]
Когда свободная память исчерпывается, распределитель памяти выполняет регенерацию, собирая все нужные данные и отбрасывая те, которые недоступны программе. Этот процесс вызывается автоматически и обычно непосредственно не затрагивает программиста. Однако если статистика указывает на большое число регенераций, то это настораживает. Среди наиболее распространенных причин частых регенераций памяти следует отметить повторные порождения образцов и операции с очень длинными цепочками. Время, нужное для регенерации памяти, зависит от многих факторов, поэтому трудно привести характерные цифры. Грубо говоря, можно сказать, что время регенерации памяти в 20 - 100 раз превосходит время выполнения типичной инструкции. Таким образом, если регенерация происходит нечасто, она не оказывает существенного влияния на эффективность программы. [22]
 |
Временные диаграммы циклов регенерации на ISA ( все интервалы указаны в наносекундах. [23] |
Такие циклы выполняет контроллер регенерации, который должен для этого получить управление магистралью каждые 15 микросекунд. Во время цикла регенерации производится чтение одной из 256 ячеек памяти ( для адресации при этом используются только восемь младших разрядов адреса SAO... Читаемая информация нигде не применяется, то есть это цикл псевдочтения. Проведение 256 циклов регенерации, то есть псевдочтение из 256 последовательных адресов памяти, обеспечивает полное обновление информации в памяти и ее непрерывное сохранение. Если по каким-то причинам цикл регенерации памяти не производится вовремя, возможна потеря информации. [24]
Из-за разряда емкости, вызываемого током утечки через pn - переход, необходимо постоянно считывать и записывать элементы динамической памяти; этот процесс называется регенерацией памяти. Скорость разряда увеличивается с ростом температуры, и интервал между регенерацией варьируется от 1 до 100 мс. При t 70 С типичный интервал регенерации составляет 2 мс. Хотя при считывании и записи строка элементов регенерируется, произвольность обращений к памяти не гарантирует регенерации всех слов модуля в течение 2 мс. Систематическая регенерация памяти осуществляется с помощью циклов регенерации памяти. [25]
Оперативное устройство МК4116 фирмы Mostek содержит 16 Кбит. Семь младших разрядов адреса используются для выбора строки, а семь старших - для выбора столбца. При выполнении операции чтения содержимое ячейки, выбранной с помощью дешифратора строк и дешифратора столбцов, подается на линии вывода данных. Регенерация каждой из 128 строк занимает 2 мс. Это означает, что каждые 15 6 мкс на кристалле выполняется операция чтения или записи. Для обеспечения достаточной частоты регенерации памяти в большинстве систем имеется счетчик на отдельном кристалле, управляемый тактовыми импульсами системы. Счетчик содержит адрес следующей строки, для которой необходимо выполнить регенерацию. Выполнив операцию чтения для этой строки, счетчик переходит к адресу следующей строки, и так для каждой строки, причем при выполнении операции чтения выводы для выхода данных заблокированы. Всякий раз, как центральный процессор запрашивает память для чтения или записи, счетчик регенерации должен быть заблокирован, а к оперативному запоминающему устройству должна быть подключена адресная шина центрального процессора. Для этого требуется дополнительная интерфейсная схема. [26]
Когда свободная память исчерпывается, распределитель памяти выполняет регенерацию, собирая все нужные данные и отбрасывая те, которые недоступны программе. Этот процесс вызывается автоматически и обычно непосредственно не затрагивает программиста. Однако если статистика указывает на большое число регенераций, то это настораживает. Среди наиболее распространенных причин частых регенераций памяти следует отметить повторные порождения образцов и операции с очень длинными цепочками. Время, нужное для регенерации памяти, зависит от многих факторов, поэтому трудно привести характерные цифры. Грубо говоря, можно сказать, что время регенерации памяти в 20 - 100 раз превосходит время выполнения типичной инструкции. Таким образом, если регенерация происходит нечасто, она не оказывает существенного влияния на эффективность программы. [27]
Страницы: 1 2