Cтраница 3
Схемы фокусировки рентгеновских лучей. и при отражении от вогнутого образца. б при отражении от плоского образца. [31] |
При съемке рентгенограмм с ионизационной регистрацией интенсивности отраженных лучей фокусирование линий значительно облегчается. Брэггу-Брентано), закрепление образца и счетчика и их одновременное вращение с сохранением соотношения углов. Это преимущество установки УРС-50И приводит к тому, что на ней можно производить съемку рентгенограмм с сохранением хорошей фокусировки в большом интервале углов. [32]
Однако стабильность работы прибора при регистрации интенсивности света с помощью фотоумножителя меньше, а схема прибора является более громоздкой и сложной из-за применения дополнительного блока питания фотоумножителя высоким стабилизированным напряжением ( 1400 - 1600В), блока питания ртутной лампы, а также введения в оптическую схему специального прерывателя, позволяющего преобразовывать постоянный ток в переменный для последующего его усиления и автоматической регистрации. [33]
Амплитудный метод контроля основан на регистрации интенсивности прошедших через изделие или отраженных от него мик рорадиоволн. Измеряемыми величинами при амплитудном методе контроля являются коэффициенты прохождения и отражения, по казатель затухания. Эти коэффициенты связаны с диэлектрической проницаемостью и толщиной стенки контролируемого изделия. [34]
Метод гамма-гамма толщинометрии базируется на регистрации интенсивности рассеянного гамма-излучения с помощью центрированного в колонне зонда малой длины, содержащего стационарный источник среднеэнергетич. При длине зонда 9 - 12 см практически исключается влияние на результаты измерений плотности среды за обсадной колонной и обеспечивается высокая чувствительность метода к изменению толщины стенки колонны. [35]
Зависимость изменения фототока от температуры. [36] |
Принцип действия прибора основан на регистрации интенсивности светового потока, прошедшего через слой нефти при ее охлаждении в процессе изменения условий кристаллизации парафина. [37]
Толщину листовых материалов измеряют путем регистрации интенсивности отраженного излучения. Эта интенсивность увеличивается с толщиной материала до определенного предела. Перед измерением толщины производят корректировку прибора при помощи эталонных пластинок, сделанных из соответствующего материала. Прибор питается от сети переменного тока напряжением 220 в и частотой 50 гц. [38]
Газоанализатор SO2 работает по принципу регистрации интенсивности флюоресценции SO2 под действием ультрафиолетового излучения. [39]
Схема толщиномера, основанного на поглощении излучения. [40] |
Сущность действия толщиномеров, основанных на регистрации интенсивности рассеянного излучения, заключается в том, что количество у-квантов, рассеянных от вещества под углом 180, возрастает с увеличением толщины мишени, достигая насыщения при определенной толщине образца. Это дает возможность измерять толщину материала ( если она меньше, чем толщина слоя насыщения); должен иметься доступ только к одной стороне испытуемого образца. [41]
На рис. 15 приведена зависимость эффективности регистрации интенсивности рентгеновского излучения от длины волны при применении дифференциальной дискриминации. Графики служат для оценки увеличения избирательности регистрации излучения при амплитудной дискриминации. [42]
Гамма-плотномер-толщиномер скважинный СГДТ-3. [43] |
Прибор ( рис. 53) обеспечивает регистрацию интенсивности рассеянного гамма-излучения по периметру скважин в виде непрерывной кривой ( селективной цементограммы) по четырем образующим. [44]
Вследствие значительного времени, которое требуется для регистрации интенсивности рассеяния, а тем более для регистрации / ( S), получающиеся значения относятся к усредненной картине, так как взаимное расположение атомов или молекул в газе постоянно меняется. Если газ одноатомный, то вероятность нахождения атома в той и пи иной точке постоянна, одинакова для всех точек и пропорциональна чисгге атомов в единице объема, т.е. при расчете на атом J ( S) - рг, где f - атомная амплитуда для атомов данного сорта, / ( S) выражено в единицах рассеяния электроном. [45]