Cтраница 1
Регистрация световых сигналов производится на фотолентах шириной 35, 60, 100 и 120 мм. Отраженный от зеркала световой пучок фокусируется на плоскость фотоленты 10 в виде пятна, которым и осуществляется запись. Часть светового пучка, идущего от зеркала гальванометра с помощью зеркального развертывающего барабана 8 направляется на матовый экран 3 для визуального наблюдения. На пути лучей расположен идентификатор, флажок которого 4 поочередно прерывает световые потоки, идущие от зеркал гальванометров, благодаря чему в линиях записи появляются разрывы, позволяющие прослеживать ход линий при их слиянии или пересечении. Для регулирования начальных положений гальванометров используется специальное зеркало 6, которое может быть установлено на пути лучей, идущих от гальванометров к объективу. Посередине этого зеркала проходит матовая полоса, делящая его отражающую поверхность пополам, поэтому на экране луч от каждого гальванометра представляется в виде двух световых полосок. При правильной установке гальванометров эти полоски имеют примерно равную яркость и равную длину. [1]
Для регистрации световых сигналов, кроме пластинок, наиболее часто применяются тепловые и фотоэлектрические приемники. [2]
Зависимость светового эквивалента шума фотодиода и фототранзистора от частоты. [3] |
При регистрации предельно малых световых сигналов целесообразно схемы настраивать по эффективному значению выходного сигнала, используя фотодиод в вентильном режиме, а фототранзистрр в схеме с избирательной связью между эмиттером и базой. [4]
Зависимость светового эквивалента шума фотодиода и фототранзистора от частоты. [5] |
Поэтому при регистрации малых световых сигналов целесообразно настраивать аппаратуру не по амплитуде выходного сигнала, а по его эффективному значению. [6]
Очевидно, что для регистрации малых световых сигналов следует использовать ФЭУ с катодами, имеющими малую величину термоэмиссии ( например, сурьмяно-цезиевыми) и с малой величиной поверхности катода. Улучшение пороговой чувствительности дает также повышение усиления каскадов. [7]
При использовании фототранзисторов для регистрации малых световых сигналов, как уже указывалось, снимаемый с фототранзистора электрический сигнал подлежит усилению. Кроме того, темновой ток в цепи коллектора / 0 должен быть минимальным. Из этих кривых видно, что существует некоторое оптимальное смещение, при котором основные параметры принимают значения, наиболее выгодные для целей регистрации малых световых сигналов и дальнейшего усиления выходного напряжения. При этом темновой ток становится примерно в 10 раз меньше, чем в схеме со свободной базой. Значительно возрастает и допустимое напряжение на коллекторе. [8]
В качестве фотоприемников для обнаружения и регистрации малых световых сигналов применяются фотогальванические элементы на основе монокристаллических лолупроводников германия и кремния, а также полупроводниковых соединений: антимонида индия ( InSb), арсенида индия ( InAs) и др. Электрические переходы в таких приборах получают путем сплавления ( например, индия и га-германия) или методом локальной диффузии примесей. [9]
Усиление фототока в нем позволяет производить регистрацию слабых световых сигналов. [11]
Спектральная характеристика фотопроводимости.| Устройство фоторезистора. [12] |
Кроме того, фоторезисторы используются также для обнаружения и регистрации световых сигналов. [13]
Спектральная характеристика фотопроводимости.| Устройство фоторезистора. [14] |
Кроме того, фоторезисторы используются также для обнаружения и регистрации световых сигналов. [15]