Вероятность - индуцированное излучение
Cтраница 1
Вероятность индуцированного излучения пропорциональна числу имеющихся в системе фотонов. [1]
Вероятности индуцированного излучения и поглощения также пропорциональны IDmJ2 и интенсивности первичного излучения. [2]
Вероятность индуцированного излучения резко возрастает при совпадении частоты электромагнитного поля с собственной частотой излучения возбужденного атома. [3]
В этом случае вероятности индуцированного излучения и поглощения могут быть неодинаковы, ибо, чтобы перейти в возбужденное состояние, электрон должен поглотить не только фотон, но и фонон. Если температура кристалла низка и необходимых фоно-нов в наличии нет, переход будет запрещен законом сохранения импульсов. Таким образом, второй вариант зонной структуры более благоприятен для усиления излучения - здесь нет необходимости в том, чтобы и электроны в верхней зоне, и дырки в нижней находились в вырожденном состоянии. [4]
Константы w0, zi2i и wiz определяют соответственно вероятности спонтанного и индуцированного излучения и поглощения и зависят только от типа вещества, положения уровней, поляризации света и направления излучения. В кубических кристаллах, являющихся оптически изотропными, эти константы практически не зависят от поляризации и направлений движения фотона и электрона. [5]
Согласно хорошо известному методу коэффициентов Эйнштейна необходимо наряду с вероятностью спонтанного излучения UK ввести вероятности индуцированного излучения и индуцированного поглощения, которые равны Nkuk, где, напоминаем, Nk есть число волн в единице фазового объема. [6]
Это соотношение показывает, что величина Ra2, характеризующая рассеяние черной дырой частицы в моде а, является суммой вероятности рассеяния 1 - В & падающей частицы и вероятности индуцированного излучения Ва в этой моде. В превосходит коэффициент поглощения Ва и Яа12 принимает значения, большие единицы. [7]
Во-вторых, перекачка по спектру волновых чисел ( всегда в сторону уменьшения Л /) также выводит колебачия из резонанса с частицами. Вероятность индуцированного излучения, пропорциональная числу резонансных плазмонов, уменьшается, и пучок стабилизуется. [8]
Самое важное в этой работе Эйнштейна - введение вероятности для описания микрообъектов. Кроме вероятностей спонтанного и индуцированного излучения, приходится еще предположить случайное направление рылета кванта из молекулы - направление вылета не гложет быть предсказано. [9]
Рассматривается равновесие между молекулами и излучением. Эйнштейн вводит вероятности индуцированного излучения и поглощения, а также вероятность спонтанного излучения. Пользуясь принципом детального равновесия, он удивительно простым путем получает формулу Планка. [10]
Однако иногда удается создать такие условия, когда спонтанное излучение будет в значительной степени подавленным. Для этого мы должны увеличить вероятность индуцированного излучения на частоте какого-либо одного квантового перехода. Увеличение наведенной ( вынужденной) составляющей излучения приводит к обеднению возбужденных уровней, вследствие чего спонтанная эмиссия уменьшается. Условия для преимущественной генерации вынужденного излучения создаются в оптических квантовых генераторах. [11]
При поглощении атом ( молекула) переходит в более высокое энергетич. Процессы поглощения и излучения характеризуются вероятностями соответствующих переходов. При этом, как показал впервые Эйнштейн, вероятность излучателышх переходов имеет две составляющие. Другая прямо пропорциональна плотности энергии внешнего ( по отношению к излучающему атому или молекуле) электромагнитного излучения на той же частоте, при к-рой происходит излучатель-ный переход; эта составляющая соответствует индуцированному ( вынужденному) излучению. Существенно, что при индуцированном излучении испускаемый фотон имеет то же направление распространения, ту же частоту, ту же фазу и такую же поляризацию, что и внешнее ( вынуждающее) излучение, Вероятность индуцированного излучения уже при очень малых плотностях энергии внешнего поля значительно превышает вероятность спонтанного излучения. Вероятность поглощения атомом ( молекулой) энергии внешнего поля оказывается равной вероятности индуцированного излучения. Полная мощность Р /, поглощаемая у поля на частоте fmn, равна Pfnfmnwmn ( Nm-Nn), где Nm и Nп - числа атомов ( молекул) на нижнем и на верхнем уровнях; ютп-вероятность индуцированного излучения. Индуцированное излучение когерентно с падающим, поэтому возможно усиление в полном смысле. [12]
 |
Схемы кристаллического расщепления состояний Р3 / и 4 /, ионов Nil. 1 в кристалле YA103 и связанные с ними спектры генерации. [13] |
Это явление на протяжении длительного времени привлекает внимание многих исследователей ( см. [123]) г поскольку оно определяет ряд основных параметров ОКГ и лазерных усилителей, в которых используются такие вещества. С другой стороны, это явление представляет и самостоятельный интерес. Экспериментальные оценки скорости ( или вероятности) миграции чаще всего проводятся в режиме стимулированного излучения. Точность таких оценок невелика. Действительно, в ОКГ на основе таких сред может возникнуть, например, такая ситуация, при которой запасенная энергия возбуждения в канал стимулированного излучения будет поступать посредством индуцированной дезактивации метастабилышго состояния, так как для А-го центра вероятность индуцированного излучения на частоте vr будет определяться плотностью потока / ( vr) и величиной о. И совершенно не исключаются случаиг когда вероятность индуцированного излучения может быть сравнима с вероятностью миграции. [14]
При поглощении атом ( молекула) переходит в более высокое энергетич. Процессы поглощения и излучения характеризуются вероятностями соответствующих переходов. При этом, как показал впервые Эйнштейн, вероятность излучательпых переходов имеет две составляющие. Другая прямо пропорциональна плотности энергии внешнего то отношению к излучающему атому или молекуле) электромагнитного излучения па той же частоте, при к-рой происходит излучатель-иый переход; эта составляющая соответствует индуцированному ( вынужденному) излучению. Существенно, что при индуцированном излучении испускаемый фотон имеет то же направление распространения, ту же частоту, ту же фазу и такую же поляризацию, что и внешнее ( вынуждающее) излучение. Вероятность индуцированного излучения уже при очень малых плотностях энергии внешнего поля значительно превышает вероятность спонтанного излучения. Вероятность поглощения атомом ( молекулой) энергии внешнего поля оказывается равной вероятности индуцированного излучения. Полная мощность Р /, поглощаемая у поля на частоте /, , равна Pjnfmnwmn ( Nm-Nn), где Nm и Nп - числа атомов ( молекул) на нижнем и на верхнем уровнях; wmn - вероятность индуцированного излучения. NmNn и Р / 0, и происходит активное поглощение энергии внешнего поля. Индуцированное излучение когерентно с падающим, поэтому возможно усиление в полном смысле. [15]
Страницы: 1 2