Вероятность - ионизация - атом
Cтраница 1
Вероятность ионизации атомов под действием электронного пучка является одной из важнейших характеристик, используемых в электронной оже-спектроскопии. В работе [199] приведены выражения для сечения ионизации оболочек атомов в бор-новском и других приближениях. Из-за малой массы электроны, производящие ионизацию в объеме, рассеиваются на большие углы. [1]
 |
Нерезонансная иони зация атома. [2] |
Для л-фотонного процесса вероятность ионизации атома в единицу времени Wn ( t) dPa ( t) ldt равна ( ср. [3]
Отметим, что при и шо вероятность ионизации атома согласно формуле ( 1) равна нулю. [4]
С ростом энергии электрона выше этого значения вероятность ионизации атома при столкновении с электроном сначала растет, а затем начинает уменьшаться. На рис. 2.4 приведена зависимость среднего числа ионизации, производимых электроном на единице длины его траектории в Аг при р133Па ( 1 мм рт. ст.), от энергии ионизирующих электронов. Поэтому на анод А установки ( рис. 2.3) подается обычно напряжение от 50 до 100 В. Катод электрически соединен с подложкой Я. [5]
Однако даже в поле 4 в / А и на расстоянии в 5 А вероятность ионизации атома гелия, двигающегося в направлении острия, еще мала. Для такого направляющегося к поверхности атома имеется только один шанс из 100 быть ионизированным на участке пробега в 1 А. Поэтому, чтобы понять механизм образования ионного изображения, необходимо изучить движение атома гелия после столкновения с поверхностью. [6]
При наложении магнитного поля, увеличивающего длину пробега электронов при их движении по направлению к аноду, вероятность ионизации атомов аргона электронами повышается. [7]
 |
Зависимость вероятности Р ионизации и возбуждения от энергии Л., переданной молекуле гептана при столкновении с электроном с внергиен 70 эв. [8] |
Таким образом, из этих данных следует, что при больших скоростях электронов вероятность ионизации молекулы так же, как и вероятность ионизации атома инертного газа, пропорциональна числу электронов в ионизируемой частице. [9]
 |
Иллюстрация явления ионизации атомов гелия под действием электрического поля, приложенного к поверхности металлического острия. [10] |
Образующиеся ионы получают затем ускорение и движутся по радиальным направлениям к экрану, ударяясь о который они дают изображение конца острия. Так как вероятность ионизации атомов гелия очень сильно зависит от локальной атомной структуры поверхности конца острия, то изображение на фосфоресцирующем экране будет отражать тонкие детали этой атомной структуры. Полученная таким образом микропроекция может иметь такое увеличение, что позволит видеть отдельные атомы и отдельные атомные вакансии. На рис. 30 приведен пример изображения, полученного с помощью ионной проекции. На такого типа фотографиях можно непосредственно видеть такие характерные детали, как границы зерен ( степень неупорядоченности при переходе через границу оказывается удивительно низкой и простирается лишь на несколько межатомных расстояний [378- 381]) и группы дислокаций, вызываемых действием радиации. [11]
Иными словами, чувствительность метода к различным элементам почти одинакова. Это объясняется тем, что вероятность ионизации атомов различных элементов в вакуумном искровом разряде довольно близка. [12]
Считают, что этот эффект является результатом увеличения вероятности ионизации атомов металла пленки, когда они начинают распыляться непосредственно с поверхности танталовой подложки, а не с поверхности распыляемой пленки. В другой, недавно появившейся работе Беннингховена [183] проводится подробное обсуждение образования и эмиссии ионов в процессе распыления. [13]
В этом параграфе мы рассмотрим теорию фотоэлектрического эффекта на атомах. Задача, стоящая перед нами, заключается в вычислении вероятности ионизации атома действием световой волны и в определении углового распределения вылетающих электронов. Таким образом, речь идет о переходе электрона из нормального уровня ( нижний уровень дискретного спектра) в уровни непрерывного спектра. [14]
Фотокаталитический эффект у платиновых катализаторов сильно зависит от электрических свойств носителя. Чем шире запрещенная зона носителя ( диэлектрики), тем больше вероятность ионизации атомов платины, адсорбированных на этом носителе, и наоборот: уменьшение ширины запрещенной зоны увеличивает возможность электронных переходов между носителем и адсорбированной платиной ( полупроводники уголь, германий, металлы висмут, платина, где запрещенная зона отсутствует); таким образом повышается вероятность возврата валентного электрона на атомы платины. В соответствии с этим наибольшее падение активности при облучении наблюдается в случае платины на силикагеле, наименьшее - в случае платиновой черни. [15]
Страницы: 1 2