Cтраница 2
Вероятность нахождения электрона на этой границе равна нулю. Однако для барьеров очень малой толщины ( 50 А) волновая функция на противоположной границе отлична от нуля. Такой процесс прохождения электрона из одного электрода в другой называется туннелированием сквозь барьер. [16]
Вероятность нахождения электрона в определенном месте равняется произведению функции ф на ее сопряженное значение или квадрату модуля функции А. [17]
![]() |
Граничная поверхность s - орбитали.| Граничные поверхности р-орбиталей. [18] |
Вероятность нахождения электрона по обе стороны от узловой плоскости ( г з2), очевидно, одинакова. Электроны, находящиеся в любой из трех р-орбиталей, обладают в изолированном атоме одинаковой энергией. Это называется вырождением орбиталей или уровней энергии. Поэтому рх, ру и / - орбитали являются трижды вырожденными уровнями, так как они не различимы по энергии. [19]
Вероятность нахождения электрона между г и r dr и где угодна в отношении 0 и Ф, очевидно, дается интегрированием по всем значениям этих двух последних переменных. [20]
![]() |
Граничная фверх ность s - орбитали.| Граничные поверхности р-орбиталей 33. [21] |
Вероятность нахождения электрона по обе стороны от узловой плоскости ( т) 2), очевидно, одинакова. Электроны, занимающие любую из трех р-орбиталей, обладают в изолированном атоме одинаковой энергией. Это состояние называется вырождением орбиталей или вырождением уровней энергии. Поэтому рх -, ру - и pz - орбитали соответствуют трижды вырожденным уровням, так как электроны в них не различимы по энергии. [22]
![]() |
Граничная поверхность s - орбитали.| Граничные поверхности р-орбиталей. [23] |
Вероятность нахождения электрона по обе стороны от узловой плоскости ( / 2), очевидно, одинакова. Электроны, занимающие любую из трех р-орбиталей, обладают в изолированном атоме одинаковой энергией. Это состояние называется вырождением орбита л ей или вырождением уровней энергии. Поэтому рх -, р - и рг-орбитали соответствуют трижды вырожденным уровням, так как электроны в них не различимы по энергии. [24]
Вероятность нахождения электрона на орбитали максимальна в наиболее заштрихованной области, с малой вероятностью электрон может находиться и вне этих зон. [25]
Вероятность нахождения электрона или плотность электронного облака определяется квадратом волновой функции ( см. гл. [26]
Вероятность нахождения электронов, или плотность электронного облака, определяется квадратом волновой функции ( см. гл. [27]
Вероятность нахождения электрона 1 в пространственно-спиновом элементе объема dx при произвольном положении остальных электронов определяется путем интегрирования выражения (11.13) по координатам второго и всех следующих ( вплоть до п-то) электронов. Разумеется, нас больше интересует вероятность нахождения любого из п электронов в элементе dx, потому что электроны в данной системе неразличимы. [28]
Вероятность нахождения электрона в точке на расстоянии 50 пм от яара в некотором определенном направлении составляет только 15 % вероятности нахождения его у самого ядра. Вероятность нахождения электрона в том же объеме на расстоянии 1 мм в точности не равна нулю, но она столь мала ( - 10 в степени - 2 - Ю7), что ею можно полностью пренебречь. [29]
Если вероятность нахождения электронов в некоторой зоне молекулы велика, то говорят, что электронная плотность этой области большая, и наоборот. [30]