Cтраница 2
В стабильных состояниях атомы могут находиться ( в отсутствие внешних воздействий) в течение времени, определяемого только вероятностями оптических переходов из этих состояний. [16]
Из теории взаимодействия частиц при их соударениях может быть получена наблюдаемая на опыте связь между вероятностью возбуждения при электронном ударе и вероятностью соответствующего оптического перехода. [17]
Применимость абсорбционного оптического метода часто ограничивается отсутствием полос ( или линий) поглощения в легко доступной спектральной области, а также далеко не всегда известными вероятностями соответствующих оптических переходов, без чего абсолютные измерения концентраций невозможны. [18]
Детальное изучение края собственного поглощения дает сведения о ширине запрещенной зоны, электронных состояниях дна зоны проводимости и потолка валентной зоны, а также о характере и величине вероятностей оптических переходов. Эти сведения представляют особую ценность, поскольку именно состояния, непосредственно примыкающие к запрещенной зоне, определяют большинство оптических и электрических характеристик полупроводников, в том числе и лазерных параметров. [19]
Для преодоления этого затруднения в случае КЯ Кэш и др. измеряли разность / ц - / j между интенсивностями излучения, поляризованного параллельно ( / ц) и перпендикулярно ( 7 j) к возбуждающему лазеру. Рассмотрев вероятности оптических переходов для света, поляризованного вдоль направлений [100] и [110] ( в плоскости КЯ), они показали, что в / ц - / j доминируют переходы возбужденных электронов с fey, параллельным поляризации лазера. [20]
При наличии сложной энергетической зоны прямым оптическим переходам может соответствовать энергия, большая, че 1 энергия термических переходов. Поскольку вероятность непрямых оптических переходов меньше вероятности прямых переходов, то в спектрах поглощения энергии фотонов, соответствующих прямым переходам, должно наблюдаться более или менее резкое возрастание поглощения и, следовательно, фотопроводимости. [21]
По закону сохранения импульса при прямых переходах не требуется участия в рекомбинации третьей ( кроме электрона и дырки) частицы. Вследствие этого вероятность прямых оптических переходов высока и прямозонные полупроводники являются эффективными люминесцентными материалами. [22]
![]() |
Материалы полупроводниковых излучателей. [23] |
Таким образом, выполнение закона сохранения импульса ( оно также обязательно для любого электронного перехода, как и соблюдение за кона сохранения энергии) при прямых переходах не требует участия в рекомбинации третьей ( кроме электрона и дырки) частицы. Вследствие этого вероятность прямых оптических переходов высока и прямозонные полупроводники являются эффективными люминесцентными материалами. [24]
Вероятность возбуждения при незапрещенных переходах в максимуме функции возбуждения имеет порядок, близкий к единице. Связь между вероятностью возбуждения электронным ударом и вероятностью оптического перехода, определяющей степень жесткости квантового запрета, следует также из квантовомеханического расчета сечения возбуждения атомов при ударе быстрых частиц. [25]
![]() |
Зависимость мощности излучения от. [26] |
При переходе же к режиму генерации практически все излучение концентрируется в плоскости р - n - перехода, распространяясь перпендикулярно отражающим граням. Кроме того, при / / пор вследствие роста вероятности вынужденных оптических переходов увеличивается отношение вероятностей излучательной и безызлучательной рекомбинации. Все это приводит к резкому росту мощности излучения Wmil и излому кривой зависимости Wi. [27]
Если же данный оптический переход запрещен ( гу 2 0), сечение возбуждения при электронном ударе будет определяться матричным элементом, отвечающим квадруполъному излучению. Следовательно, вероятность возбуждения данного уровня электронным ударом должна быть пропорциональна вероятности соответствующего оптического перехода. [28]
Это приближение называется кулоновским. Важным примером является матричный элемент ди-польного момента А г А, который определяет вероятность оптического перехода. Вообще, следует отметить, что полуэмпирический метод в ряде случаев мож т давать лучшие результаты, чем метод Хартри-Фока, Действительно метод Хартри-Фока обеспечивает наилучшие радиальные функции для расчета энергии. Но те же функции могут быть не оптимальными для вычисления матричных элементов других операторов, в частности для недиагональных матричных элементов. Особенно это относится к случаю переходов между возбужденными состояниями. [29]
![]() |
Функции возбуждения атома ртути электронным ударом, обнаруживающие два максимума ( по Каган и Захаровой. [30] |