Вероятность - туннельное прохождение
Cтраница 1
 |
Схема квазипересечения одномерных адиабатических термов. [1] |
Вероятность туннельного прохождения быстро падает с увеличением массы частицы. В общем случае под ц следует понимать приведенную массу для движения по координате реакции. Поэтому PJa может играть заметную роль, по-видимому, только в реакциях с участием атома водорода, например в реакциях с переносом протона между двумя молекулами. [2]
Чтобы получить вероятность туннельного прохождения через барьер за 1 сек, Z, нужно умножить D на число столкновений электрона с барьером за одну секунду. [3]
Из выражения (61.5) видно, что вероятность туннельного прохождения частицей потенциального барьера существенно зависит от энергии частицы и ширины потенциального барьера. [4]
 |
Схема энергетического контура реакции при туннельном эффекте. [5] |
Из этого уравнения следует, что вероятность туннельного прохождения барьера возрастает при уменьшении разницы между высотой барьера и уровнем энергии частицы. Кроме того, коэффициент трансмиссии увеличивается с уменьшением массы частицы и ширины барьера. [6]
В очень тонких р-п переходах вследствие большой напряженности электрического поля увеличивается вероятность туннельного прохождения электронов сквозь тонкий потенциальный барьер. Однако для этого необходимо, чтобы тот же энергетический уровень по другую сторону барьера был свободным. [7]
Для широких электронно-дырочных переходов с низкой напряженностью электрического поля в них вероятность туннельного прохождения электронов через барьер настолько мала, что ее не стоит учитывать. При напряженности поля 105 в / см за счет туннельного эффекта через переход будет проходить 1 электрон в секунду, а при 10е в / см - уже 1012 электронов в секунду через квадратный сантиметр площади перехода. [8]
Если к поверхности металла или полупроводника приложить очень сильное электрическое поле, то вероятность туннельного прохождения электроном поверхностного потенциального барьера может увеличиться настолько, что величина эмиссионного тока становится достаточной для проведения измерений. [9]
Однако, если барьер слева бомбардирует большое количество частиц, заметное число их пройдет через барьер. Даже если вероятность туннельного прохождения только 1 % и если миллион частиц движется к барьеру с энергией W, то 10000 из них совершат туннельное прохождение. [10]
При повышении температуры происходит уменьшение ширины запрещенной зоны ( для германия оно составляет 4 - 10 - 4 эв. Это увеличивает вероятность туннельного прохождения электронов и предельная напряженность поля снижается. [11]
Соответствующая вероятность этого называется вероятностью туннельного прохождения. [12]
Амплитуда волновой функции внутри барьера убывает тем быстрее, чем выше барьер относительно энергии падающей на него частицы, поэтому амплитуда волновой функции с внешней стороны барьера тоже оказывается тем меньше, чем больше относительная высота барьера. В результате с увеличением высоты барьера быстро уменьшается вероятность туннельного прохождения. Амплитуда быстро убывает также с возрастанием массы частицы; следовательно, вероятность туннельного эффекта уменьшается, если масса проходящей через барьер частицы увеличивается. Следовательно, наиболее благоприятна для туннельного эффекта такая ситуация, когда легкая частица подходит к медленно меняющемуся потенциальному барьеру. Очень эффективно совершают туннельное прохождение электроны, хуже, но еще заметно, - протоны и совсем слабо - дейтероны. [13]
 |
Электростатическая ионизация. [14] |
Переход АБ требует затраты энергии ЕАБ, а при переходе АВ энергия электрона не изменяется: ЕЛ-ЕВ. Переход АВ и есть туннельный. Вероятность туннельного прохождения тем больше, чем меньше ширина энергетического барьера, условно определяемая величиной расстояния АВ. [15]
Страницы: 1 2