Cтраница 1
Вероятность упругого рассеяния примесями пропорциональна о4, если длина волны значительно больше, чем размеры рассеивающего центра. [1]
Чтобы найти вероятность упругого рассеяния нейтрона с изменением направления его спина dw, нужно найти сначала вероятность рассеяния с изменением направления спина нейтрона на / - м ядре и просуммировать затем результат по всем ядрам решетки. [2]
При малых частотах вероятность упругого рассеяния становится очень малой. Более вероятным процессом может ( в принципе) стать неупругое рассеяние примесями. [3]
Величина f0 ( Q) описывает вероятность упругого рассеяния частицы под углом Э и называется амплитудой рассеяния в упругом канале. [4]
![]() |
Линии испускания ( J и поглощения ( 2 у-кван-тов атомными ядрами в г. азах ( а, в твердых телах ( б, в жидкостях ( в. Л - энергия ядерного перехода. [5] |
Фактор Месс-бауэра во многом аналогичен Дебая - Уоллера фактору, определяющему вероятность упругого рассеяния рентг. С ростом темп-ры i увеличивается, а / д / падает. Однако для - - переходов низких энергий / сохраняет заметную величину вплоть до темп-ры плавления. [6]
К - приведенная длина волны де Бройля ( Х Я / 2я); Г и Г, - полная и нейтронная ширины резо-нансов ( Г Г Г7 - ширина уровня, которая складывается из парциальных ширин: Гя - нейтронной ширины и Г 7 - радиационной ширины; отношения Г / Г и 1 / Г - вероятности упругого рассеяния с образованием составного ядра и радиационного захвата соответственно; ширины резонансов берутся на половине высоты сечения в резонансе и выражаются в энергетических единицах); Ек - энергия резонанса; а - эффективный радиус ядра. Первое слагаемое соответствует резонансному рассеянию, второе - потенциальному рассеянию, третье - интерференции процессов потенциального и резонансного рассеяния. [7]
При упругом рассеянии пионов на протонах, как и в рр-рассеянии, преобладают процессы с малой передачей импульса. С ростом передаваемого импульса ( увеличением угла вылета рассеявшейся частицы) вероятность упругого рассеяния резко уменьшается. При этом, хотя полные упругие сечения Je ( p) и Je ( K - p) при импульсах начиная с нескольких ГэВ / с и больше приблизительно равны, дифференциальные сечения тг р-рассеяния вблизи 180 в этой области энергий в несколько раз больше соответствующих тг-р-сечений. [8]
Для определения длины свободного пробега ротонов надо рассмотреть различные типы столкновений, испытываемых ротонами: 1) упругие столкновения ротонов друг с другом, 2) упругие столкновения ротонов с фононами, 3) различного рода неупругие столкновения ротонов с ротонами, сопровождающиеся испусканием ( или поглощением) новых ротонов или фононов. Вычисления показывают, что вероятность различных процессов неупругого рассеяния ротонов ротонами значительно меньше вероятности упругого рассеяния, как это, впрочем, и можно было ожидать заранее. Что же касается столкновений ротонов с фононами, то при не слишком низких температурах вероятность этих процессов значительно меньше вероятности упругого рассеяния ротонов ротонами, в связи с тем, что число фононов очень мало по сравнению с числом ротонов. Лишь при достаточно низких температурах ( начиная примерно от 0 5 К), вследствие резкого уменьшения числа ротонов по сравнению с числом фононов, начинают преобладать столкновения ротонов с фононами. [9]
Для определения длины свободного пробега ротонов надо рассмотреть различные типы столкновений, испытываемых ротонами: 1) упругие столкновения ротонов друг с другом, 2) упругие столкновения ротонов с фононами, 3) различного рода неупругие столкновения ротонов с ротонами, сопровождающиеся испусканием ( или поглощением) новых ротонов или фононов. Вычисления показывают, что вероятность различных процессов неупругого рассеяния ротонов ротонами значительно меньше вероятности упругого рассеяния, как это, впрочем, и можно было ожидать заранее. Что же касается столкновений ротонов с фононами, то при не слишком низких температурах вероятность этих процессов значительно меньше вероятности упругого рассеяния ротонов ротонами, в связи с тем, что число фононов очень мало по сравнению с числом ротонов. Лишь при достаточно низких температурах ( начиная примерно от 0 5 К), вследствие резкого уменьшения числа ротонов по сравнению с числом фононов, начинают преобладать столкновения ротонов с фононами. [10]