Вероятность - неупругое рассеяние
Cтраница 1
 |
Замедляющие и поглощающие свойства некоторых веществ.| Некоторые фундаментальные физические константы. [1] |
Вероятность неупругого рассеяния увеличивается с ростом энергии нейтрона и увеличением массового числа. [2]
Мэв возрастает вероятность неупругого рассеяния по сравнению с упругим и при Е 20 Мэв роль неупругого рассеяния в процессе взаимодействия нейтронов с веществом становится больше, чем упругого. [3]
Для того чтобы получить вероятность неупругого рассеяния, необходимо, как и в прошлом параграфе, усреднить квадрат модуля (4.6) по магнитным квантовым числам и по распределениям изотопов. [4]
Выражение (40.11) показывает, что вероятность неупругого рассеяния растет с увеличением потерянной энергии, так что главную роль при неупругом рассеянии играют переходы с большой потерей энергии, порядка начальной энергии нейтрона. [5]
По порядку величины Е равно энергии Е0, при которой вероятность неупругого рассеяния становится равной вероятности захвата. Этому соответствует то обстоятельство, что нейтроны эффективно замедляются только до энергий порядка Е0, которыми и обладает наибольшее количество частиц. [6]
В том случае, когда неупруго рассеянные нейтроны ( после одного или нескольких актов рассеяния) не способны вызывать деление, возможность протекания цепной реакции определяется, кроме величины v, вероятностью неупругого рассеяния и энергетическим спектром рассеянных нейтронов. Мы не будем, однако, подробно рассматривать этот случай. [7]
С увеличением сечения захвата ( уменьшением te) средняя энергия Е медленно растет ( пропорционально te - - 2 /) в соответствии с тем, что вероятность захвата сравнивается с вероятностью неупругого рассеяния при больших энергиях. [8]
Большая концентрация свободных носителей заряда в металлах приводит к сильному отражению зондирующего пучка. Доля мощности пучка, поглощаемой металлом, мала. Вследствие этого очень мала вероятность неупругого рассеяния при взаимодействии света с металлической поверхностью. Для металлов с высокой отражающей способностью измерения спектров КР требуют очень длительных экспозиций. По этой причине спектроскопия металлов методом КР проводится значительно реже по сравнению с другими материалами. [9]
Сечение ионизации характеризует вероятность ионизации молекул и зависит от типа молекул и используемых энергий ионизирующих электронов. Эта функция близка к нулю в области энергии ионизации, затем достигает максимума и снова уменьшается. Увеличение сечения ионизации с ростом энергии электронов объясняется увеличением вероятности неупругого рассеяния, но дальнейшее повышение энергии электронов уменьшает время взаимодействия их с электронами молекулы и, как следствие, снижает вероятность ионизации. Минимальная энергия электронов, при которой появляется ион, называется потенциалом появления иона и обозначается ПП. [10]
Вид реакции существенно зависит от энергии налетающего нейтрона. При малых энергиях налетающих нейтронов ( под действием тепловых нейтронов с энергиями в доли электрон-вольта) происходит, главным образом, реакция ( п, 7) - радиационный захват. Для многих ядер при поглощении тепловых нейтронов сечение а ( п а и выход радиационного захвата близок к единице. По мере увеличения энергии налетающего нейтрона начинает увеличиваться вначале вероятность неупругого рассеяния. [11]
Важная формула (3.2) является основным результатом данного параграфа. Подчеркнем, что в нее еще не включены ограничения, вызываемые принципом Паули, то есть запрет интерферирующему электрону, который находится вблизи ферми-поверхности, занимать состояния, уже занятые электронами резервуара. Прежде чем приступить к обсуждению результата, отметим, что в формуле (3.2) вычисления уже обобщены на случай, когда электронный резервуар первоначально находился при конечной температуре. Эквивалентная запись через динамический структурный фактор и флук-туационно-диссипативную теорему ( ФДТ) просто выражает вероятность через интеграл от вероятности неупругого рассеяния. Новой особенностью нашего результата является появление в нем классической траектории x ( t), вдоль которой происходит возбуждение среды. [12]
При увеличении напряженности электрического поля кинетическая энергия носителей увеличивается. В слабых электрических полях происходит в основном упругое рассеяние носителей на ионах примеси и на длинноволновых акустических фононах. При упругом рассеянии потери энергии носителей не происходит. По мере увеличения кинетической энергии повышается вероятность неупругого рассеяния на оптических фононах. Кинетическая энергия носителей, приобретенная в электрическом поле, в результате испускания оптических фо-нонов передается кристаллической решетке. В стационарном состоянии прирост приобретенной носителями энергии уравновешивается ее уменьшением за счет передачи решетке. Однако, если в результате интенсивных электрон-электронных столкновений в кристалле происходит быстрое выравнивание энергий между электронами, то можно воспользоваться формулой распределения Максвелла - Больцмана, подставив в нее эффективную температуру электронов Те, которая превышает температуру кристаллической решетки. [13]
Страницы: 1